公开(公告)号：CN118758946A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410972215.3

申请日：2024-07-19

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 宋鹏 ,  谢云际 ,  刘俊岩 ,  王飞 ,  何昱煜 ,  岳洪浩

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/01 ,  G01N21/95

Abstract: 公开了一种光伏组件缺陷失效的原位光学成像检测方法及系统，该系统通过开关单元控制光伏组件局部电池片的光电效应，实现光伏组件不同工作状态之间的切换，实现了全光控制，可在日照和极寒环境下对运行中的光伏组件进行大面积、高效率的原位检测，极大程度提高检测操作方体验和检测效率，避免人员繁琐操作流程，缩短光伏组件检测时间。

公开(公告)号：CN118376606A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410422575.6

申请日：2024-04-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 宋鹏 ,  谢云际 ,  刘俊岩 ,  王飞 ,  何昱煜 ,  岳洪浩

IPC: G01N21/63 ,  G01N21/01

Abstract: 本申请提出了一种半导体材料掺杂浓度与电阻率的测量方法，包括：调节两台激光器使激光器产生的激光光斑完全覆盖样件，调节分光片使单点近红外探测器探测到激光；控制两台激光器输出强度调制激光激励样件产生载流子辐射发光信号，并采集调制激光的光强幅值I0、样件产生的载流子辐射发光信号的幅值AmI和样件产生的载流子辐射发光信号的相位Ph I；并利用公式计算掺杂浓度ND及各像素点电阻率ρ。解决目前半导体材料电阻率测量存在成像检测效率低、易损伤材料表面、横向分辨率不高等问题，提供一种半导体材料掺杂浓度与电阻率的非接触光学成像测量方法与装置。