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公开(公告)号：CN101814562A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010152183.0
申请日：2010-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/02
Abstract: 一种具有二维光子晶体的发光二极管，它涉及具有光子晶体的发光二极管。本发明解决现有发光二极管出光效率低，及利用传统刻蚀、光刻或者压印技术对半导体有源层具有损伤，导致非辐射复合增加的问题。本发明发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型掺杂半导体层、有源层、P型掺杂半导体层、电流扩散层、P型电极和N型电极，其中在N型掺杂半导体层与空气的界面上，以及P型掺杂半导体层与空气的界面上覆盖二维光子晶体层，二维光子晶体层为单层微球有序排列结构，微球粒径50nm～5μm。二维光子晶体层改善半导体层与外界的折射律差值，利用弱光子晶体效应，提高了出光率，较传统发光二极管提高了10%~20%。适宜于大面积和工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101934211B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010298498.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层数可控胶体晶体的自组装生长方法，涉及一种胶体晶体的自组装生长方法，解决现有胶体晶体的制备方法较复杂、不易控制，很难得到层数可控的胶体晶体的问题。本发明的方法：一、将基片进行清洗处理；二、配制胶体粒子悬浮液；三、将步骤一处理的基片插入步骤二配制的胶体粒子悬浮液中，放置在恒温培养箱中2～3天即可。本发明方法工艺简单，效率高、易于控制、重复性好，克服现有方法自组装生长胶体晶体层数不易控制、及得到的胶体晶体有序度不高的问题，能生长大面积高度有序、层数可控的胶体晶体。本发明自组装得到的层数可控胶体晶体为深入研究光子晶体的结构和光学性质提供了材料，同时为三维有序大孔材料提供了更为理性和精确的模板。
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公开(公告)号：CN101934211A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010298498.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层数可控胶体晶体的自组装生长方法，涉及一种胶体晶体的自组装生长方法，解决现有胶体晶体的制备方法较复杂、不易控制，很难得到层数可控的胶体晶体的问题。本发明的方法：一、将基片进行清洗处理；二、配制胶体粒子悬浮液；三、将步骤一处理的基片插入步骤二配制的胶体粒子悬浮液中，放置在恒温培养箱中2～3天即可。本发明方法工艺简单，效率高、易于控制、重复性好，克服现有方法自组装生长胶体晶体层数不易控制、及得到的胶体晶体有序度不高的问题，能生长大面积高度有序、层数可控的胶体晶体。本发明自组装得到的层数可控胶体晶体为深入研究光子晶体的结构和光学性质提供了材料，同时为三维有序大孔材料提供了更为理性和精确的模板。
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公开(公告)号：CN101807613A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010134373.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0232 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 三维光子晶体为背反射层的非晶硅太阳电池及其制备方法，涉及非晶硅太阳电池及制备方法。解决现有Al背反射层反射率低，导致太阳电池效率低的问题。非晶硅太阳电池的背反射层为三维大孔有序掺铝氧化锌光子晶体。制备方法：低压化学气相沉积前电极层，再采用PECVD沉积P-I-N层，再磁控溅射制备ITO透明导电薄膜，然后垂直沉积法或者旋涂法制备胶体晶体模板，再电沉积得背反射层，然后真空蒸镀背电极层即得。AZO具有可见光高透过率，结合光子晶体的禁带效应，可实现对600~1000nm可见光波段80%及以上的反射率。三维光子晶体反射角大，增加光波在吸收层中传播光程，提高光子利用效率，增加光电流密度和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101807613B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010134373.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0232 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 三维光子晶体为背反射层的非晶硅太阳电池及其制备方法，涉及非晶硅太阳电池及制备方法。解决现有Al背反射层反射率低，导致太阳电池效率低的问题。非晶硅太阳电池的背反射层为三维大孔有序掺铝氧化锌光子晶体。制备方法：低压化学气相沉积前电极层，再采用PECVD沉积P-I-N层，再磁控溅射制备ITO透明导电薄膜，然后垂直沉积法或者旋涂法制备胶体晶体模板，再电沉积得背反射层，然后真空蒸镀背电极层即得。AZO具有可见光高透过率，结合光子晶体的禁带效应，可实现对600~1000nm可见光波段80%及以上的反射率。三维光子晶体反射角大，增加光波在吸收层中传播光程，提高光子利用效率，增加光电流密度和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101814562B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010152183.0
申请日：2010-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/02
Abstract: 一种成本低的具有二维光子晶体的发光二极管，它涉及具有光子晶体的发光二极管。本发明解决现有发光二极管生产成本高，及对半导体有源层具有损伤的问题。本发明发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型掺杂半导体层、有源层、P型掺杂半导体层、电流扩散层、P型电极和N型电极，其中在N型掺杂半导体层与空气的界面上，以及P型掺杂半导体层与空气的界面上覆盖二维光子晶体层，二维光子晶体层为单层微球有序排列结构，微球粒径50nm～5μm。二维光子晶体层改善半导体层与外界的折射律差值，利用弱光子晶体效应，提高了出光率，较传统发光二极管提高了10％～20％。适宜于大面积和工业化生产。
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