公开(公告)号：CN103728341A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201410005596.4

申请日：2014-01-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘淑娟 ,  袁冶 ,  王铀

IPC: G01N27/00

Abstract: 制备室温检测、大电流、快速响应的非贵金属掺杂WO3基氢敏传感器材料的方法，它涉及一种WO3基氢气敏感薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的WO3基半导体氢敏材料无法实现室温下具有高灵敏度、快速响应且响应电流微小的问题。方法1：一、制备嵌段共聚物有机溶液；二、旋涂；三、配置前驱体溶液；四、浸泡；五、固化；六、煅烧，得到非贵金属掺杂WO3基氢敏传感器材料；方法2：一、制备嵌段共聚物有机溶液；二、旋涂；三、熏蒸处理；四、配置前驱体溶液；五、浸泡；六、固化；七、煅烧，得到非贵金属掺杂WO3基氢敏传感器材料。本发明主要用于制备室温检测、大电流、快速响应的非贵金属掺杂WO3基氢敏传感器材料。

公开(公告)号：CN103728341B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201410005596.4

申请日：2014-01-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘淑娟 ,  袁冶 ,  王铀

IPC: G01N27/00

Abstract: 制备室温检测、大电流、快速响应的非贵金属掺杂WO3基氢敏传感器材料的方法，它涉及一种WO3基氢气敏感薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的WO3基半导体氢敏材料无法实现室温下具有高灵敏度、快速响应且响应电流微小的问题。方法1：一、制备嵌段共聚物有机溶液；二、旋涂；三、配置前驱体溶液；四、浸泡；五、固化；六、煅烧，得到非贵金属掺杂WO3基氢敏传感器材料；方法2：一、制备嵌段共聚物有机溶液；二、旋涂；三、熏蒸处理；四、配置前驱体溶液；五、浸泡；六、固化；七、煅烧，得到非贵金属掺杂WO3基氢敏传感器材料。本发明主要用于制备室温检测、大电流、快速响应的非贵金属掺杂WO3基氢敏传感器材料。