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公开(公告)号：CN113149018A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110488058.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 一种TaSi2粉体的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要提供一种经济与易于实施且提纯效果佳的TaSi2粉体的提纯方法。本发明方法：取TaSi2原粉体，加入浓度为1～5mol/L的KOH溶液，在室温～90℃水浴锅中搅拌反应2～10h，然后用砂芯漏斗抽滤，超纯水洗至中性，真空干燥后，得提纯后的TaSi2粉体；其中，TaSi2原粉体和KOH溶液的质量体积比为1g：(10～50)mL。本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺：经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用TaSi2粉体领域。
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公开(公告)号：CN113218811B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110488059.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种有效检测TaSi2纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测TaSi2纯度的方法。本发明的TaSi2试样经硝酸与氢氟酸处理使游离Si、SiO2、游离Ta、生成四氟化硅气体与[TaF7]2‑配离子，再加入KOH溶液中和多余的酸以及与未反应的离子反应，抽滤后测定残留物量即为TaSi2的含量。本发明所检测结果TaSi2物相的纯度基本均稳定在99％左右，所测结果数值稳定，表明本发明具有很高的检测稳定性和可靠性。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出TaSi2物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于TaSi2纯度检测领域。
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公开(公告)号：CN113218811A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110488059.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种有效检测TaSi2纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测TaSi2纯度的方法。本发明的TaSi2试样经硝酸与氢氟酸处理使游离Si、SiO2、游离Ta、生成四氟化硅气体与[TaF7]2‑配离子，再加入KOH溶液中和多余的酸以及与未反应的离子反应，抽滤后测定残留物量即为TaSi2的含量。本发明所检测结果TaSi2物相的纯度基本均稳定在99％左右，所测结果数值稳定，表明本发明具有很高的检测稳定性和可靠性。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出TaSi2物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于TaSi2纯度检测领域。
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公开(公告)号：CN113135576B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110488057.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 一种B4Si及B6Si的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要解决B4Si及B6Si的提纯工艺复杂，提纯纯度不高的问题，本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺思路：即先对粉体进行氧化处理，将部分单质如B和Si转化为相应的氧化物，然后在加热条件下用浓KOH处理，将相应的杂质转化为易溶于水的物质，经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用于粉体材料提纯领域。
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公开(公告)号：CN113135576A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110488057.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 一种B4Si及B6Si的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要解决B4Si及B6Si的提纯工艺复杂，提纯纯度不高的问题，本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺思路：即先对粉体进行氧化处理，将部分单质如B和Si转化为相应的氧化物，然后在加热条件下用浓KOH处理，将相应的杂质转化为易溶于水的物质，经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用于粉体材料提纯领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113092306A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110483063.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N5/04
Abstract: 一种有效检测四硼化硅及六硼化硅纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测B4Si及B6Si纯度的方法。本发明将试样去除水分后，采用不同浓度的氢氟酸处理后，再与KOH反应，砂芯漏斗抽滤，清洗后，进行计算。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出B4Si及B6Si物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于B4Si及B6Si材料领域。
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公开(公告)号：CN105514285A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510974850.6
申请日：2015-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0094 , H01L51/44
Abstract: 一种以SiW11Co杂多酸为空穴传输层的钙钛矿电池，涉及一种钙钛矿电池。本发明是为了解决现有的钙钛矿太阳能电池的空穴传输层材料的制备和提纯工艺复杂、成本较高，电池稳定性差的技术问题。本发明的钙钛矿电池由下至上依次是导电电极、电子传输层、钙钛矿吸光剂层、SiW11Co杂多酸空穴传输层和金属电极。本发明的优点在于：本发明中SiW11Co杂多酸空穴传输层通过改变反荷粒子的种类，除可用原子层沉积、磁控溅射、热蒸发沉积之外，还可以实现溶液旋涂法制备，另外该物质在空气中稳定，价格便宜。本发明应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN113092306B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110483063.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N5/04
Abstract: 一种有效检测四硼化硅及六硼化硅纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测B4Si及B6Si纯度的方法。本发明将试样去除水分后，采用不同浓度的氢氟酸处理后，再与KOH反应，砂芯漏斗抽滤，清洗后，进行计算。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出B4Si及B6Si物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于B4Si及B6Si材料领域。
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公开(公告)号：CN105514285B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510974850.6
申请日：2015-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种以SiW11Co杂多酸为空穴传输层的钙钛矿电池，涉及一种钙钛矿电池。本发明是为了解决现有的钙钛矿太阳能电池的空穴传输层材料的制备和提纯工艺复杂、成本较高，电池稳定性差的技术问题。本发明的钙钛矿电池由下至上依次是导电电极、电子传输层、钙钛矿吸光剂层、SiW11Co杂多酸空穴传输层和金属电极。本发明的优点在于：本发明中SiW11Co杂多酸空穴传输层通过改变反荷粒子的种类，除可用原子层沉积、磁控溅射、热蒸发沉积之外，还可以实现溶液旋涂法制备，另外该物质在空气中稳定，价格便宜。本发明应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN105405980A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510974524.5
申请日：2015-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0026
Abstract: 一种钙钛矿太阳能电池光阳极的退火方法，涉及一种太阳能电池光阳极的退火方法。本发明是为了解决目前钙钛矿太阳能电池光阳极的退火方法不能很好控制钙钛矿吸光剂形貌，缺陷态较多，晶体内部反应物残留过多等技术问题。本发明：当钙钛矿太阳能电池光阳极在加热台上进行加热退火时，钙钛矿太阳能电池光阳极的钙钛矿吸光剂层直接接触加热台进行退火。本发明的优点在于：本发明的钙钛矿吸光剂在退火过程中，能有效利用残留在晶体内部和表面的溶剂和未反应物，促进钙钛矿晶体形貌的改善，使部分残留的反应物在退火过程中继续反应完全，又不会导致溶剂辅助退火法因过量溶剂对晶体的破坏。本发明应用于制备钙钛矿太阳能电池。
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