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公开(公告)号:CN101672889A
公开(公告)日:2010-03-17
申请号:CN200910305786.7
申请日:2009-08-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 脉冲式半导体激光器特性的检测装置及检测方法,涉及精密仪器与检测技术领域,它解决了现有半导体激光器特性检测装置存在大量热量累积被测激光器所处环境可能存在水蒸气问题。本发明的装置中的硬件控制电路的电流信号输出端输出的电流信号为脉冲式电流信号,所述脉冲式电流信号的步幅a为0.1mA;所述脉冲式电流信号的脉冲宽度b大于等于100ns,并且小于等于20μs;所述脉冲式电流信号的脉冲周期c大于等于200ns,并小于等于20ms;所述脉冲式电流信号的脉冲幅值d大于等于0mA,并小于等于500mA。本发明的装置中还包括氮气源,在检测过程中在被测激光器的环境中充入氮气,使得被测激光器在氮气环境下进行测试,进一步有效的避免水蒸气的生成。
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公开(公告)号:CN101672889B
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN200910305786.7
申请日:2009-08-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 脉冲式半导体激光器特性的检测装置,涉及精密仪器与检测技术领域,它解决了现有半导体激光器特性检测装置存在大量热量累积被测激光器所处环境可能存在水蒸气问题。本发明的装置中的硬件控制电路的电流信号输出端输出的电流信号为脉冲式电流信号,所述脉冲式电流信号的步幅a为0.1mA;所述脉冲式电流信号的脉冲宽度b大于等于100ns,并且小于等于20μs;所述脉冲式电流信号的脉冲周期c大于等于200ns,并小于等于20ms;所述脉冲式电流信号的脉冲幅值d大于等于0mA,并小于等于500mA。本发明的装置中还包括氮气源,在检测过程中在被测激光器的环境中充入氮气,使得被测激光器在氮气环境下进行测试,进一步有效的避免水蒸气的生成。
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