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公开(公告)号：CN110894823B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201911253087.2
申请日：2019-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明提供了一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，包括导磁底板和均匀设置在导磁底板上的多个导磁套筒，导磁底板和多个导磁套筒一体成型设置，每一导磁套筒内安置霍尔推力器簇的一个推力器单元，每一导磁套筒完全遮挡其内的推力器单元，各导磁套筒间均设有间隙，多个导磁套筒围合的区域中心为导磁底板的中心，在多个导磁套筒围合的区域中心布置阴极，阴极为霍尔推力器簇的各推力器单元的共享阴极。本发明所述的抗磁干扰支架在起到固定各推力器单元的作用的同时，可有效减少推力器的空间漏磁，以确保各推力器单元免受外界磁场干扰。同时该支架中心位置可布置一台阴极，采取阴极共享策略为数个推力器同时提供电离过程及离子中和过程所需的电子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110894823A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911253087.2
申请日：2019-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明提供了一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，包括导磁底板和均匀设置在导磁底板上的多个导磁套筒，导磁底板和多个导磁套筒一体成型设置，每一导磁套筒内安置霍尔推力器簇的一个推力器单元，每一导磁套筒完全遮挡其内的推力器单元，各导磁套筒间均设有间隙，多个导磁套筒围合的区域中心为导磁底板的中心，在多个导磁套筒围合的区域中心布置阴极，阴极为霍尔推力器簇的各推力器单元的共享阴极。本发明所述的抗磁干扰支架在起到固定各推力器单元的作用的同时，可有效减少推力器的空间漏磁，以确保各推力器单元免受外界磁场干扰。同时该支架中心位置可布置一台阴极，采取阴极共享策略为数个推力器同时提供电离过程及离子中和过程所需的电子。
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公开(公告)号：CN108612636A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810469784.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 适用于宽参数范围工作的霍尔推力器，属于航天电推进技术领域，本发明为解决当前的霍尔推力器不具备宽参数范围条件下高性能稳定工作能力的问题。本发明所述霍尔推力器的陶瓷通道为连续变截面通道，所述陶瓷通道以7.1°的扩张半角从阳极顶面起始、由通道内部向外部连续延展；利用柔性磁路调整磁场强度峰值的轴向位置，进而控制电离发生的位置，以适应不同工质流量状况：当工质流量低时，调整电离发生在变截面通道宽度较窄、工质气体密度较高的区域，以满足充分电离通流密度下限值；当工质流量高时，调整电离发生在变截面通道宽度较宽、工质气体密度适中的区域，既保证工质的充分电离，又可避免局部壁面热负荷过大。
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公开(公告)号：CN108320879A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810119249.2
申请日：2018-02-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 霍尔推力器柔性磁路调控方法，属于霍尔推力器领域，本发明为解决电推力器无法进行宽参数变化范围调整的问题。本发明所述柔性磁路为m阶级磁路结构，所述调控方法为：当工况发生变化时，通过调节柔性磁路的各阶级线圈的安匝数来调整原磁场位型，调整至与新工况匹配的目标磁场位型；从原磁场位型调整至目标磁场位型的调控过程包括最大磁场强度调控、最大磁场强度位置调控、磁场梯度调控和零磁场位置调控。
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公开(公告)号：CN108320879B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810119249.2
申请日：2018-02-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 霍尔推力器柔性磁路调控方法，属于霍尔推力器领域，本发明为解决电推力器无法进行宽参数变化范围调整的问题。本发明所述柔性磁路为m阶级磁路结构，所述调控方法为：当工况发生变化时，通过调节柔性磁路的各阶级线圈的安匝数来调整原磁场位型，调整至与新工况匹配的目标磁场位型；从原磁场位型调整至目标磁场位型的调控过程包括最大磁场强度调控、最大磁场强度位置调控、磁场梯度调控和零磁场位置调控。
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公开(公告)号：CN108612636B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810469784.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 适用于宽参数范围工作的霍尔推力器，属于航天电推进技术领域，本发明为解决当前的霍尔推力器不具备宽参数范围条件下高性能稳定工作能力的问题。本发明所述霍尔推力器的陶瓷通道为连续变截面通道，所述陶瓷通道以7.1°的扩张半角从阳极顶面起始、由通道内部向外部连续延展；利用柔性磁路调整磁场强度峰值的轴向位置，进而控制电离发生的位置，以适应不同工质流量状况：当工质流量低时，调整电离发生在变截面通道宽度较窄、工质气体密度较高的区域，以满足充分电离通流密度下限值；当工质流量高时，调整电离发生在变截面通道宽度较宽、工质气体密度适中的区域，既保证工质的充分电离，又可避免局部壁面热负荷过大。
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