公开(公告)号：CN106588085B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201611199601.5

申请日：2016-12-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  苟永杰 ,  吴丽娜

IPC: C04B38/02 ,  C04B35/573

Abstract: 一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，它属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域，具体涉及一种SiC多孔陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔径分布和大小难以调控、比表面积较小、高孔隙率陶瓷的力学强度低的问题。制备方法：一、揉制面团；二、发酵与冻干得到多孔面团；三、炭化得到碳多孔骨架；四、烧结得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。本发明主要用于制备耐高温结构型SiC多孔陶瓷。

公开(公告)号：CN106588085A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611199601.5

申请日：2016-12-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  苟永杰 ,  吴丽娜

IPC: C04B38/02 ,  C04B35/573

CPC classification number: C04B38/025 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/96

Abstract: 一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，它属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域，具体涉及一种SiC多孔陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔径分布和大小难以调控、比表面积较小、高孔隙率陶瓷的力学强度低的问题。制备方法：一、揉制面团；二、发酵与冻干得到多孔面团；三、炭化得到碳多孔骨架；四、烧结得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。本发明主要用于制备耐高温结构型SiC多孔陶瓷。