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公开(公告)号：CN117458835A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311333657.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M1/08 , H02M1/088 , H02M1/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提出一种基于准闭环的SiC MOSFET自适应有源栅极驱动方法，所述方法分析了自调节有源栅极驱动电路的实现方案，提出了准闭环控制方案，采用上一开关周期的反馈控制本周期的有源驱动信号，放宽了对硬件的固有延迟要求。分析了电流采样方案的合理性，对负载电流直接采样代替采集四个开关管的电流，减化电路设计。给出了查找表方案，该方案可以最大限度地节省成本和放宽对硬件的要求。
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