公开(公告)号：CN109811324B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201910194342.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王浪平 ,  王淏 ,  王小峰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法,涉及制备掺杂类薄膜的领域,为了解决现有制备掺杂类薄膜技术在放电过程易相互干扰，易出现靶中毒现象，薄膜的成分难以自由调节，沉积效率较低且易引入杂质的问题。本发明的装置采用双直流电源，通过控制电源U1和电源U2的电压值控制薄膜的掺杂含量。本发明适用于制备掺杂类薄膜。

公开(公告)号：CN109811324A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910194342.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王浪平 ,  王淏 ,  王小峰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法,涉及制备掺杂类薄膜的领域,为了解决现有制备掺杂类薄膜技术在放电过程易相互干扰，易出现靶中毒现象，薄膜的成分难以自由调节，沉积效率较低且易引入杂质的问题。本发明的装置采用双直流电源，通过控制电源U1和电源U2的电压值控制薄膜的掺杂含量。本发明适用于制备掺杂类薄膜。