公开(公告)号：CN112285981B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202011168096.4

申请日：2020-10-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  王乐滨 ,  赵九蓬 ,  张翔

IPC: G02F1/1506 ,  G02F1/1514 ,  G02F1/1523 ,  G02F1/153

Abstract: 一种具有高电荷储存能力的电致变色器件的制备方法，它涉及一种电致变色器件的制备方法。本发明的目的是要解决现有电致变色器件由于变色膜层之间电荷容量不匹配，导致了变色幅度低、循环寿命低和褪色态自带颜色的问题。方法：一、基底的表面处理；二、制备电致变色层；三、制备互补变色层；四、制备含锂电解质；五、组装器件，得到具有高电荷储存能力的电致变色器件。本发明制备的具有高电荷储存能力的电致变色器件的着色时间为1s～3s，褪色时间为0.1s～2s，透过率变化幅度60％以上，电荷容量20mC/cm2以上。本发明可获得一种具有高电荷储存能力的电致变色器件。

公开(公告)号：CN107098599B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201710310847.3

申请日：2017-05-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  张翔 ,  赵九蓬 ,  王乐滨 ,  田燕龙 ,  豆书亮 ,  李新刚

IPC: C03C17/36

Abstract: 双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜及其制备方法，它涉及一种电致变色低辐射玻璃及贴膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有玻璃及贴膜的辐射率高，稳定性差和不能自主调光的问题。双面镀膜电致变色低辐射玻璃由基底、低辐射膜层和电致膜层组成，制备方法：一、基板材料的表面处理；二、低辐射膜层的制备；三、电致变色膜层的制备。双面镀膜电致变色低辐射贴膜由基底、低辐射膜层和电致膜层组成，制备方法：一、基板材料的表面处理；二、低辐射膜层的制备；三、电致变色膜层的制备。本发明可获得双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜。

公开(公告)号：CN107098599A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710310847.3

申请日：2017-05-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  张翔 ,  赵九蓬 ,  王乐滨 ,  田燕龙 ,  豆书亮 ,  李新刚

IPC: C03C17/36

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3657 ,  C03C2217/70 ,  C03C2218/156

Abstract: 双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜及其制备方法，它涉及一种电致变色低辐射玻璃及贴膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有玻璃及贴膜的辐射率高，稳定性差和不能自主调光的问题。双面镀膜电致变色低辐射玻璃由基底、低辐射膜层和电致膜层组成，制备方法：一、基板材料的表面处理；二、低辐射膜层的制备；三、电致变色膜层的制备。双面镀膜电致变色低辐射贴膜由基底、低辐射膜层和电致膜层组成，制备方法：一、基板材料的表面处理；二、低辐射膜层的制备；三、电致变色膜层的制备。本发明可获得双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜。

公开(公告)号：CN112285981A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011168096.4

申请日：2020-10-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  王乐滨 ,  赵九蓬 ,  张翔

IPC: G02F1/1506 ,  G02F1/1514 ,  G02F1/1523 ,  G02F1/153

Abstract: 一种具有高电荷储存能力的电致变色器件的制备方法，它涉及一种电致变色器件的制备方法。本发明的目的是要解决现有电致变色器件由于变色膜层之间电荷容量不匹配，导致了变色幅度低、循环寿命低和褪色态自带颜色的问题。方法：一、基底的表面处理；二、制备电致变色层；三、制备互补变色层；四、制备含锂电解质；五、组装器件，得到具有高电荷储存能力的电致变色器件。本发明制备的具有高电荷储存能力的电致变色器件的着色时间为1s～3s，褪色时间为0.1s～2s，透过率变化幅度60％以上，电荷容量20mC/cm2以上。本发明可获得一种具有高电荷储存能力的电致变色器件。