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公开(公告)号：CN101165213A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710072631.4
申请日：2007-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 分散后自组装的纳米棒阵列电极制备方法，本发明涉及一种纳米棒阵列电极的制备方法，具体涉及模板法生长的金属纳米棒经分散后自组装的纳米棒阵列电极的制备方法。它克服了已有技术电极表面积并未得到充分利用的缺陷。本发明通过下述步骤实现：溶解掉模板法生长的金属纳米棒的模板，使纳米棒可以自由操纵；用分散剂和超声处理，将纳米棒在溶剂中充分分散，避免团聚，形成单根纳米棒的分散溶液；通过调控分散液中纳米棒的浓度，实现以可控间距的方式将纳米棒自组装到基底电极表面上。这样形成的金属纳米棒阵列电极，可以充分利用纳米棒丰富的表面积，只需组装极少量的纳米棒即可实现超高的扩散流量和法拉第电流，具有超高的电催化活性。
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公开(公告)号：CN101165213B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710072631.4
申请日：2007-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 分散后自组装的金纳米棒阵列电极制备方法，本发明涉及一种纳米棒阵列电极的制备方法，具体涉及模板法生长的金纳米棒经分散后自组装的纳米棒阵列电极的制备方法。它克服了已有技术电极表面积并未得到充分利用的缺陷。本发明通过下述步骤实现：溶解掉模板法生长的金纳米棒的模板，使金纳米棒可自由操纵；用分散剂和超声处理，将金纳米棒在溶剂中充分分散，避免团聚，形成单根金纳米棒的分散溶液；通过调控分散液中纳米棒的浓度，实现以可控间距的方式将金纳米棒自组装到基底电极表面上。这样形成的金纳米棒阵列电极，可以充分利用金纳米棒丰富的表面积，只需组装极少量的金纳米棒即可实现超高的扩散流量和法拉第电流，具有超高的电催化活性。
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公开(公告)号：CN101165214A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710072632.9
申请日：2007-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法，本发明涉及一种纳米棒阵列电极的制备方法，具体涉及模板法生长的金属纳米棒经分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法。它克服了现有技术使纳米线电极丰富的电极表面积并未得到充分利用的缺陷。本发明提供的技术方案是：溶解掉模板法生长的金属纳米棒的模板，使纳米棒可以自由操纵；应用分散剂和超声处理，将纳米棒在溶剂中充分分散，避免团聚，形成单根纳米棒的分散溶液；通过调控分散溶液中纳米棒的浓度，实现以可控间距的方式将纳米棒修饰到基底电极表面上。这样形成的金属纳米棒阵列电极，可以充分利用纳米棒丰富的表面积，只需组装极少量的纳米棒即可实现超高的扩散流量和法拉第电流，具有超高的电催化活性。
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公开(公告)号：CN101165214B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710072632.9
申请日：2007-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法，本发明涉及一种纳米棒阵列电极的制备方法，具体涉及模板法生长的金属纳米棒经分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法。它克服了现有技术使纳米线电极丰富的电极表面积并未得到充分利用的缺陷。本发明提供的技术方案是：溶解掉模板法生长的金属纳米棒的模板，使纳米棒可以自由操纵；应用分散剂和超声处理，将纳米棒在溶剂中充分分散，避免团聚，形成单根纳米棒的分散溶液；通过调控分散溶液中纳米棒的浓度，实现以可控间距的方式将纳米棒修饰到基底电极表面上。这样形成的金属纳米棒阵列电极，可以充分利用纳米棒丰富的表面积，只需组装极少量的纳米棒即可实现超高的扩散流量和法拉第电流，具有超高的电催化活性。
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