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1.

发明授权
磷化锗锌单晶生长的方法失效

公开(公告)号：CN101235542B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710144599.6

申请日：2007-11-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨春晖 , 沃里佐布娃·噶琳娜 , 夏士兴 , 王猛

IPC: C30B29/10 , C30B1/10

Abstract: 磷化锗锌单晶生长的方法，它涉及磷化锗锌晶体生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行：一、定量；二、升温；三、坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明磷化锗锌单晶有籽晶生长按如下步骤进行：一、定量；二、升温；三、坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。

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