公开(公告)号：CN104532324B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410822035.3

申请日：2014-12-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  李超楠 ,  夏琦兴 ,  姜兆华

IPC: C25D11/30

Abstract: 一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法，它涉及一种镁合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有应用于航天器的铝合金材料重量大，镁合金热控涂层吸收率高和镁合金基体与热控涂层高结合力低的问题。制备方法：首先对镁合金进行处理，然后采用脉冲微弧氧化电源进行微弧氧化，即完成利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。本发明在镁合金表面制备的低太阳吸收率高发射率涂层厚度达到30μm～120μm，太阳吸收率为0.2～0.4，发射率为0.85～0.95，粗糙度为1μm～10μm。本发明可获得一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。

公开(公告)号：CN104233432B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410513165.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  夏琦兴 ,  李超楠 ,  姜兆华

IPC: C25D11/30

Abstract: 一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法，它涉及一种镁锂合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有镁锂合金自身存在低红外辐射率，不能应用在热控系统中的问题。步骤：一、镁锂合金前处理；二、微弧氧化，得到在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层。本发明制备的涂层与基体结合良好，抗热震性能好，太阳吸收比为0.22～0.40，辐射率达0.9～0.97。本发明拓宽了镁锂合金在空间领域的应用范围，而其重量相比于铝基涂层减少30％～40％。本发明可获得一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法。

公开(公告)号：CN104532324A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410822035.3

申请日：2014-12-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  李超楠 ,  夏琦兴 ,  姜兆华

IPC: C25D11/30

CPC classification number: C25D11/30

Abstract: 一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法，它涉及一种镁合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有应用于航天器的铝合金材料重量大，镁合金热控涂层吸收率高和镁合金基体与热控涂层高结合力低的问题。制备方法：首先对镁合金进行处理，然后采用脉冲微弧氧化电源进行微弧氧化，即完成利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。本发明在镁合金表面制备的低太阳吸收率高发射率涂层厚度达到30μm～120μm，太阳吸收率为0.2～0.4，发射率为0.85～0.95，粗糙度为1μm～10μm。本发明可获得一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。

公开(公告)号：CN104233432A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410513165.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  夏琦兴 ,  李超楠 ,  姜兆华

IPC: C25D11/30

Abstract: 一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法，它涉及一种镁锂合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有镁锂合金自身存在低红外辐射率，不能应用在热控系统中的问题。步骤：一、镁锂合金前处理；二、微弧氧化，得到在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层。本发明制备的涂层与基体结合良好，抗热震性能好，太阳吸收比为0.22～0.40，辐射率达0.9～0.97。本发明拓宽了镁锂合金在空间领域的应用范围，而其重量相比于铝基涂层减少30％～40％。本发明可获得一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法。