公开(公告)号：CN106747423B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201710074301.2

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  罗蕙佳代 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  李方喆 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

Abstract: 一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025；制备方法：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶液E；六、滴加、搅拌；七、干燥；八、煅烧；九、研磨；十、烧结。本发明制备单相NBT基反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。

公开(公告)号：CN106747423A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710074301.2

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  罗蕙佳代 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  李方喆 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

Abstract: 一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025；制备方法：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶液E；六、滴加、搅拌；七、干燥；八、煅烧；九、研磨；十、烧结。本发明制备单相NBT基反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。

公开(公告)号：CN106673645B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201710074964.4

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  李方喆 ,  张洪军 ,  罗蕙佳代 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  张利伟 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/624

Abstract: 一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法，涉及一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法。本发明是为了解决目前的复相多铁材料比单相多铁材料高出多个数量级的漏电流的技术问题。本发明：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶胶E；六、制备混合溶胶F；七、烘干；八、煅烧；九、研磨；十、造粒；十一、压片；十二、排胶；十三、烧结。本发明的优点：本发明可获得具有镶嵌结构的多铁性复相陶瓷，其漏电流小于0‑3、1‑3、2‑2型多铁性复相陶瓷。本发明应用于制备多铁性复相陶瓷。

公开(公告)号：CN106673645A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710074964.4

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  李方喆 ,  张洪军 ,  罗蕙佳代 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  张利伟 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/624

Abstract: 一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法，涉及一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法。本发明是为了解决目前的复相多铁材料比单相多铁材料高出多个数量级的漏电流的技术问题。本发明：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶胶E；六、制备混合溶胶F；七、烘干；八、煅烧；九、研磨；十、造粒；十一、压片；十二、排胶；十三、烧结。本发明的优点：本发明可获得具有镶嵌结构的多铁性复相陶瓷，其漏电流小于0‑3、1‑3、2‑2型多铁性复相陶瓷。本发明应用于制备多铁性复相陶瓷。