公开(公告)号：CN109326616A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811073723.9

申请日：2018-09-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙剑峰 ,  王骐 ,  郜键 ,  李献杰

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提出了一种低暗电流的大阵面铟砷化镓MSM结构光电混频探测器阵列及其制造方法，属于非扫描激光主动四维成像雷达技术领域。所述阵列包括焦平面面阵；所述MSM焦平面面阵一侧表面设有光敏面；所述光敏面上设有64×64个像元，所述MSM焦平面面阵另一侧表面与所述光敏面相对应的位置上依次覆盖有缓冲层、吸收层、缓变层和势垒增强层；沿所述势垒增强层的中心线位置上依次设有五对背靠背肖特基。所述光电混频探测器阵列及其制造方法能够有效降低大面阵探测器阵列的暗电流。

公开(公告)号：CN107479048A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710751690.8

申请日：2017-08-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙剑峰 ,  李献杰 ,  郜键 ,  王骐

IPC: G01S7/481

CPC classification number: G01S7/4816

Abstract: InGaAs材料MSM结构光电混频探测器，涉及非扫描激光四维成像雷达领域，为了满足FM/CW体制的InGaAs材料MSM结构探测器的需求。本发明所包括的像元采用64×64阵列式排布，每个像元包括衬底、缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极；衬底上依次设置缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极，吸收层的材料为InGaAs；每个像元的长和宽均为60μm。本发明适用于光电混频探测。