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公开(公告)号：CN106209025B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201610737443.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 具有工艺及温度补偿的环形振荡器，属于振荡器领域，本发明为解决现有技术中环形振荡器的环振频率受工艺参数以及温度变化影响的问题。本发明包括延迟单元、温度补偿模块和工艺补偿模块；所述的延迟单元包括奇数个以电容作负载的反相器；所述的温度补偿模块的主体电路为二阶温度补偿的带隙基准电流源，产生基本与温度无关的供电电流I_pow提供给延迟单元，使得其振荡频率基本不受温度变化的影响；所述的工艺补偿模块采用二极管连接的MOS管产生与工艺同步变化的电压通过LDO将其反映到延迟单元的供电电压ULdo_out上，来进行工艺补偿。
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公开(公告)号：CN103176499B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310105737.5
申请日：2013-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路通信技术领域，具体地说是一种低功耗抗工艺偏差和电源噪声的动态电流模式收发系统，包括发射装置和接收装置，其特征在于所述发射装置中的发射电路采用动态电流源结构，其包括弱驱动电流源、强驱动电流源、数字控制器和偏置电路，所述接收装置中的接收电路包括电流电压转化器、反相器放大器和反相器，弱驱动电流源在数据传输期间一直工作，强驱动电流源由数字控制器控制在数据传输发生变化期间工作，电流电压转化器将弱驱动电流源和强驱动电流注入到长互连线的电流信号转换为电压信号，通过反相器放大器将该电压信号恢复成正常幅值，再通过反相器使输入电压和输出电压信号相位相同，本发明具有结构新颖、功耗低、有效抵抗工艺偏差和电源噪声影响等优点。
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公开(公告)号：CN103176499A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310105737.5
申请日：2013-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路通信技术领域，具体地说是一种低功耗抗工艺偏差和电源噪声的动态电流模式收发系统，包括发射装置和接收装置，其特征在于所述发射装置中的发射电路采用动态电流源结构，其包括弱驱动电流源、强驱动电流源、数字控制器和偏置电路，所述接收装置中的接收电路包括电流电压转化器、反相器放大器和反相器，弱驱动电流源在数据传输期间一直工作，强驱动电流源由数字控制器控制在数据传输发生变化期间工作，电流电压转化器将弱驱动电流源和强驱动电流注入到长互连线的电流信号转换为电压信号，通过反相器放大器将该电压信号恢复成正常幅值，再通过反相器使输入电压和输出电压信号相位相同，本发明具有结构新颖、功耗低、有效抵抗工艺偏差和电源噪声影响等优点。
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公开(公告)号：CN101533072B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910071868.X
申请日：2009-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于流水式工作时序的双积分器智能电池电流检测电路，它涉及检测电路。它为解决现有智能电池电流检测电路存在受时间常数精度和稳定性影响大的问题而提出。流水式工作时序控制模块的第一、第二充电和第三、第四放电电压信号输出端分别连双积分器充电检测组件的第一、第二充电电压信号输入端和双积分器放电检测组件的第一、第二放电电压信号输入端；双积分器充、放电检测组件的第五、第六充电电压信号输出端分别连数据总线；系统时钟的五个时钟信号输出端分别连计时器模块的时钟信号输入端、双积分器充、放电检测组件的第三、第四时钟信号输入端，它的测量精度很高、测量速度快，数字的输出也不依赖时间常数。
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公开(公告)号：CN101552644A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910071996.4
申请日：2009-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04B15/00 , H03K19/0185 , H03F3/45 , H04B10/06
Abstract: 用于红外接收系统跨阻前置放大器的直流干扰抑制电路，属于电路设计领域，本发明是为解决红外接收系统的跨阻前置放大器对直流干扰的抑制方法存在抑制能力差的问题。本发明的回转器包括两个跨导运算放大器，第一跨导运算放大器的输出端与第二跨导运算放大器的输入端相连，两个跨导运算放大器连接点引出线与电容C的一端相连，电容C的另一端接地，两个跨导运算放大器连接点引出线还与补偿电路的输入端相连，补偿电路的输出端与第一跨导运算放大器的偏置电压信号输入端相连，第二跨导运算放大器的输出端与第一跨导运算放大器的同相输入端相连并作为直流干扰抑制电路的一端，第一跨导运算放大器的反相输入端作为直流干扰抑制电路的另一端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101552644B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910071996.4
申请日：2009-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04B15/00 , H03K19/0185 , H03F3/45 , H04B10/06
Abstract: 用于红外接收系统跨阻前置放大器的直流干扰抑制电路，属于电路设计领域，本发明是为解决红外接收系统的跨阻前置放大器对直流干扰的抑制方法存在抑制能力差的问题。本发明的回转器包括两个跨导运算放大器，第一跨导运算放大器的输出端与第二跨导运算放大器的输入端相连，两个跨导运算放大器连接点引出线与电容C的一端相连，电容C的另一端接地，两个跨导运算放大器连接点引出线还与补偿电路的输入端相连，补偿电路的输出端与第一跨导运算放大器的偏置电压信号输入端相连，第二跨导运算放大器的输出端与第一跨导运算放大器的同相输入端相连并作为直流干扰抑制电路的一端，第一跨导运算放大器的反相输入端作为直流干扰抑制电路的另一端。
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公开(公告)号：CN100568150C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810064235.1
申请日：2008-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种共享的预稳压电路，涉及一种应用于LDO的预稳压电路。它为了解决目前的预稳压电路只对LDO的输出部分进行改善，无法有效提高基准源的输出电压的电源抑制比、降低基准源的温度系数和电源抑制随工艺阈值电压变化的敏感度的问题。第一MOS晶体管栅极与误差放大器输出端连接，其衬底接地，其漏极同时与第二MOS晶体管漏极、栅极和第三MOS晶体管栅极连接，第二MOS晶体管源极同时与自己的衬底、第三MOS晶体管源极及其衬底连接，第一MOS晶体管源极同时与第二电阻一端、第三电阻一端连接，第二电阻另一端同时与第一电阻一端和误差放大器反相输入端连接，第一电阻另一端与电容一端连接后接地，电容另一端与第三电阻另一端连接。
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公开(公告)号：CN101251758A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810064235.1
申请日：2008-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种共享的预稳压电路，涉及一种应用于LDO的预稳压电路。它为了解决目前的预稳压电路只对LDO的输出部分进行改善，无法有效提高基准源的输出电压的电源抑制比、降低基准源的温度系数和电源抑制随工艺阈值电压变化的敏感度的问题。第一MOS晶体管栅极与误差放大器输出端连接，其衬底接地，其漏极同时与第二MOS晶体管漏极、栅极和第三MOS晶体管栅极连接，第二MOS晶体管源极同时与自己的衬底、第三MOS晶体管源极及其衬底连接，第一MOS晶体管源极同时与第二电阻一端、第三电阻一端连接，第二电阻另一端同时与第一电阻一端和误差放大器反相输入端连接，第一电阻另一端与电容一端连接后接地，电容另一端与第三电阻另一端连接。
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公开(公告)号：CN106970317A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710183825.5
申请日：2017-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/2855
Abstract: 本发明公开了一种基于保护带的老化故障检测传感器，包括延时单元、稳定检测器、输出锁存器和第一反相器，延时单元用于控制老化故障检测传感器的开关，延时单元开启时产生延迟的时钟信号GB，延时单元关闭时老化故障检测传感器处于抗老化状态；稳定检测器接收延迟的时钟信号GB、原时钟信号的反向信号nclk以及组合逻辑电路的CL信号，延迟的时钟信号GB和原时钟信号的反向信号nclk形成保护带时间，并检测保护带时间内组合逻辑电路信号CL是否出现跳变，向输出锁存器输出跳变信号；输出锁存器用于锁存接收到的跳变信号并发出报警信号。本发明结构简单、功耗低、自身抗老化、可靠性高能够可预测电路自然老化故障，可满足芯片低功耗的要求。
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公开(公告)号：CN106209025A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610737443.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 具有工艺及温度补偿的环形振荡器，属于振荡器领域，本发明为解决现有技术中环形振荡器的环振频率受工艺参数以及温度变化影响的问题。本发明包括延迟单元、温度补偿模块和工艺补偿模块；所述的延迟单元包括奇数个以电容作负载的反相器；所述的温度补偿模块的主体电路为二阶温度补偿的带隙基准电流源，产生基本与温度无关的供电电流I_pow提供给延迟单元，使得其振荡频率基本不受温度变化的影响；所述的工艺补偿模块采用二极管连接的MOS管产生与工艺同步变化的电压通过LDO将其反映到延迟单元的供电电压ULdo_out上，来进行工艺补偿。
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