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公开(公告)号：CN100575543C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810137045.8
申请日：2008-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法，涉及一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的工艺方法。目的是解决在采用常用的磁控溅射方法很难实现碳化硅涂层与钴基高温合金之间良好结合的问题。实现本发明方法包括的步骤：一、将钴基高温合金用氢氟酸清洗、丙酮溶液超声波清洗、酒精溶液超声波清洗和去离子水清洗；二、将处理后的钴基高温合金送入磁控溅射真空仓内，并抽真空，对钴基高温合金加热并保温；三、将仓内通入Ar气，施加脉冲负偏压对钴基高温合金表面反溅射；四：溅射功率启辉，对靶材表面预溅射；五、钴基高温合金表面进行正式溅射，沉积碳化硅高辐射涂层；六、关闭所有电源，待仓内温度降至室温，完成沉积。
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公开(公告)号：CN102002666A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010515721.8
申请日：2010-10-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法，它涉及一种氮化钽扩散阻挡层的制备方法。本发明解决现有氮化钽沉积技术制备得到的氮化钽阻挡层厚度大、致密性差，导致氮化钽阻挡层的阻挡效果差的问题。制备方法：将衬底清洗后置于过滤阴极电弧沉积设备真空仓内的样品台上；然后对衬底进行离子清洗；抽真空后，将样品台加热，然后通入氮气，然后调入扫描波形，设置沉积参数；然后开启过滤阴极电弧沉积设备即可。铜互联用氮化钽扩散阻挡层厚度为10～20nm，而且阻挡层致密性好，表面均匀平整，能够保证后续电沉积铜层的优良质量；同时高温扩散阻挡性高，氮化钽扩散阻挡层受温度为600℃的热处理90分钟后，无铜硅化合物产生。
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公开(公告)号：CN102002666B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010515721.8
申请日：2010-10-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法，它涉及一种氮化钽扩散阻挡层的制备方法。本发明解决现有氮化钽沉积技术制备得到的氮化钽阻挡层厚度大、致密性差，导致氮化钽阻挡层的阻挡效果差的问题。制备方法：将衬底清洗后置于过滤阴极电弧沉积设备真空仓内的样品台上；然后对衬底进行离子清洗；抽真空后，将样品台加热，然后通入氮气，然后调入扫描波形，设置沉积参数；然后开启过滤阴极电弧沉积设备即可。铜互联用氮化钽扩散阻挡层厚度为10～20nm，而且阻挡层致密性好，表面均匀平整，能够保证后续电沉积铜层的优良质量；同时高温扩散阻挡性高，氮化钽扩散阻挡层受温度为600℃的热处理90分钟后，无铜硅化合物产生。
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公开(公告)号：CN101343731A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810137045.8
申请日：2008-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法，涉及一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的工艺方法。目的是解决在采用常用的磁控溅射方法很难实现碳化硅涂层与钴基高温合金之间良好结合的问题。实现本发明方法包括的步骤：一、将钴基高温合金用氢氟酸清洗、丙酮溶液超声波清洗、酒精溶液超声波清洗和去离子水清洗；二、将处理后的钴基高温合金送入磁控溅射真空仓内，并抽真空，对钴基高温合金加热并保温；三、将仓内通入Ar气，施加脉冲负偏压对钴基高温合金表面反溅射；四、溅射功率启辉，对碳化硅涂层表面预溅射；五、钴基高温合金表面进行正式溅射，沉积碳化硅高辐射涂层；六、关闭所有电源，待仓内温度降至室温，完成沉积。
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