公开(公告)号：CN100408720C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200510010489.1

申请日：2005-10-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙跃 ,  徐淑艳 ,  马欣新 ,  唐光泽

IPC: C23C14/48

Abstract: 一种实现等离子体升温注渗的方法及其装置，属于等离子体基离子注入的技术领域，它是为了解决现有注渗工艺过程中只依靠等离子体的注入对工件加热而使注渗工艺参数难以选择的问题。其方法是通过热阻调节块和水冷电极装置将工件的温度冷却到设定的注渗温度以下，再通过红外测温装置反馈的工件温度来控制辅助热源控制器调节辅助热源的的输出功率，利用辅助热源使工件处于设定的注渗温度下。其装置有真空室、射频等离子发生器、高压脉冲电源、工作台、红外测温装置、辅助热源控制器、辅助热源、热阻调节块和水冷电极装置组成。通过本发明可以对工件实现在200～500℃内任意注渗温度下的升温注渗处理，使升温注渗工艺的设计具有极大的灵活性和重复可控性。

公开(公告)号：CN1752274A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510010489.1

申请日：2005-10-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙跃 ,  徐淑艳 ,  马欣新 ,  唐光泽

IPC: C23C14/48

Abstract: 一种实现等离子体升温注渗的方法及其装置，它属于等离子体基离子注入的技术领域，它是为了解决现有的注渗工艺过程中只依靠等离子体的注入对工件加热而使注渗工艺参数难以选择的问题。本发明的红外测温装置5的信号输入端连接真空室10的温度测试口，5的输出端连接辅助热源控制器6的输入端，6的输出端连接辅助热源4的输入端，热阻调节块2固定在工作台11和水冷电极装置3之间；其方法是通过2和3将工件1的温度冷却到设定的注渗温度以下，然后通过5反馈的工件温度来控制6调节4的输出功率，利用4使工件处于设定的注渗温度下。通过本发明可以对工件实现在200～500℃内任意注渗温度下的升温注渗处理，使升温注渗工艺的设计具有极大的灵活性和重复可控性。