公开(公告)号：CN108395256A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810095817.X

申请日：2018-01-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 易法军 ,  张高铭 ,  孟松鹤 ,  李卓芸 ,  许承海 ,  解维华 ,  金华 ,  方国东

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/565 ,  C04B35/56 ,  C04B35/582 ,  C04B35/583

CPC classification number: C04B35/589 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/571 ,  C04B35/581 ,  C04B35/583 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种致密型富碳先驱体陶瓷的制备方法，所述方法包括如下步骤：将液态富碳先驱体进行第一次初步固化后球磨成粉末，得到富碳先驱体粉末；将富碳先驱体粉末与液态贫碳先驱体混合均匀，得到先驱体混合料，然后将所述先驱体混合料进行压制成型，得到先驱体混合物，再将所述先驱体混合物进行第二次初步固化，得到先驱体初步固化物；用液态贫碳先驱体浸渍先驱体初步固化物，然后在两个以上不同温度阶段进行固化，得到先驱体坯体；将先驱体坯体进行裂解，制得致密型富碳先驱体陶瓷。本发明提供了一种将富碳先驱体进行表面包覆的新方法，富碳先驱体与贫碳先驱体间能形成很好的结合，制备了一种致密度高、抗氧化性能强的致密型富碳先驱体陶瓷。

公开(公告)号：CN107488037A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710828943.7

申请日：2017-09-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孟松鹤 ,  牛家宏 ,  张高铭 ,  李金平 ,  易法军 ,  许承海

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/571 ,  C04B35/589 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/96

Abstract: 一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法，属于陶瓷材料制备工艺技术领域。所述方法如下：1、部分交联先驱体的制备；2、完全交联先驱体的制备；3、制粉；4、混合粉体；5、先驱体块状胚体的制备；6、SiCN块状陶瓷的制备。本发明的优点是：本发明原理简单，易于实现，价格低廉；本发明提供了一种能在较宽范围内连续调节非晶先驱体陶瓷孔隙率的方法，可以从完全致密开始连续调节SiCN陶瓷的孔隙率，最大孔隙可以达到21.32%，从而满足多种尺寸SiCN陶瓷的气体排放和强度要求；固化后的先驱体均采用粉末形式，更方便均匀混合；通过该方法不仅可以制备完全致密的先驱体转化陶瓷，还能够在较大范围内实现孔隙的连续性调节。

公开(公告)号：CN108395256B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201810095817.X

申请日：2018-01-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 易法军 ,  张高铭 ,  孟松鹤 ,  李卓芸 ,  许承海 ,  解维华 ,  金华 ,  方国东

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/565 ,  C04B35/56 ,  C04B35/582 ,  C04B35/583

Abstract: 本发明涉及一种致密型富碳先驱体陶瓷的制备方法，所述方法包括如下步骤：将液态富碳先驱体进行第一次初步固化后球磨成粉末，得到富碳先驱体粉末；将富碳先驱体粉末与液态贫碳先驱体混合均匀，得到先驱体混合料，然后将所述先驱体混合料进行压制成型，得到先驱体混合物，再将所述先驱体混合物进行第二次初步固化，得到先驱体初步固化物；用液态贫碳先驱体浸渍先驱体初步固化物，然后在两个以上不同温度阶段进行固化，得到先驱体坯体；将先驱体坯体进行裂解，制得致密型富碳先驱体陶瓷。本发明提供了一种将富碳先驱体进行表面包覆的新方法，富碳先驱体与贫碳先驱体间能形成很好的结合，制备了一种致密度高、抗氧化性能强的致密型富碳先驱体陶瓷。