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公开(公告)号：CN113299778B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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公开(公告)号：CN113299778A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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公开(公告)号：CN113284975B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110580050.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，整个材料体系的电导率增大，从而实现器件在中长波红外波段的响应，材料制备工艺简单，便于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN113284975A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110580050.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，整个材料体系的电导率增大，从而实现器件在中长波红外波段的响应，材料制备工艺简单，便于工业化大规模生产。
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