公开(公告)号：CN107180882B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201710367780.7

申请日：2017-05-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 ,  刘超越 ,  廖奕凯

IPC: H01L31/0296 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种β‑氧化镓纳米阵列的制备方法，所述方法利用水浴法制备GaOOH种子层，然后利用水热法在种子层上制备GaOOH纳米阵列，最后通过热退火获得β‑Ga2O3纳米阵列。本发明的方法是一种绿色化学方法，采用化学方法种子层和纳米阵列，阵列排列整齐，尺寸均匀，制备方法简单廉价，易推广，利于大面积制备，并由于制备了GaOOH种子层，可不限定衬底，可使用石英、硅、透明导电衬底（ITO或FTO）、蓝宝石（C‑Al2O3）等衬底，利于不同的应用。

公开(公告)号：CN107180882A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710367780.7

申请日：2017-05-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 ,  刘超越 ,  廖奕凯

IPC: H01L31/0296 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/0296 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种β‑氧化镓纳米阵列的制备方法，所述方法利用水浴法制备GaOOH种子层，然后利用水热法在种子层上制备GaOOH纳米阵列，最后通过热退火获得β‑Ga2O3纳米阵列。本发明的方法是一种绿色化学方法，采用化学方法种子层和纳米阵列，阵列排列整齐，尺寸均匀，制备方法简单廉价，易推广，利于大面积制备，并由于制备了GaOOH种子层，可不限定衬底，可使用石英、硅、透明导电衬底（ITO或FTO）、蓝宝石（C‑Al2O3）等衬底，利于不同的应用。