公开(公告)号：CN104861868B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510337460.8

申请日：2015-06-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 潘磊 ,  李垚 ,  李娜 ,  赵九蓬 ,  孟庆强 ,  王晶

IPC: C09D201/00 ,  C09D183/04 ,  C09D7/12

Abstract: 一种超黑涂层的制备方法，本发明涉及超黑涂层的制备方法。本发明要解决现有黑色涂层或存在反射率无法满足光学领域，或存在对基底类型、尺寸有着严格的限制，施工步骤复杂的问题。方法：一、二氧化硅单分散微球的制备；二、碳包覆的二氧化硅单分散微球的制备；三、超黑漆的制备；四、刷涂或喷涂，即完成一种超黑涂层的制备方法。本发明用于一种超黑涂层的制备方法。

公开(公告)号：CN104861868A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510337460.8

申请日：2015-06-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 潘磊 ,  李垚 ,  李娜 ,  赵九蓬 ,  孟庆强 ,  王晶

IPC: C09D201/00 ,  C09D183/04 ,  C09D7/12

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08K3/36 ,  C08K9/10 ,  C08K2201/011 ,  C09D7/70

Abstract: 一种超黑涂层的制备方法，本发明涉及超黑涂层的制备方法。本发明要解决现有黑色涂层或存在反射率无法满足光学领域，或存在对基底类型、尺寸有着严格的限制，施工步骤复杂的问题。方法：一、二氧化硅单分散微球的制备；二、碳包覆的二氧化硅单分散微球的制备；三、超黑漆的制备；四、刷涂或喷涂，即完成一种超黑涂层的制备方法。本发明用于一种超黑涂层的制备方法。