公开(公告)号：CN1746112A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510010204.4

申请日：2005-07-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐用军 ,  张克军 ,  王福平 ,  张密林 ,  张威震 ,  姜琳琳

IPC: C01F11/18 ,  B82B1/00

Abstract: 导电纳米碳酸钙及其制备方法，涉及一种导电材料及其制备方法。现有导电方法具有成本高、污染大、价格昂贵、影响产品质量的弊端。导电纳米碳酸钙，各成分按重量比例为，CaCO3∶Sn∶Sb＝55～90∶9～40∶1～10。导电纳米碳酸钙的制备方法，该方法包括以纳米碳酸钙为核体，在pH值＝1～6条件下，采用化学共沉淀法形成在纳米碳酸钙表面包覆二氧化锡掺杂锑的的过程。本发明导电纳米碳酸钙成本低，在使用中无污染，对于任何形状的制品都可以使用，导电纳米碳酸钙，颗粒均匀，体积电阻率低，形成的抗静电及导电塑料力学性能好，抗静电性能稳定。本发明的制备方法简单，易于工业化生产，可广泛应用于塑料、橡胶、高级油墨、涂料等产品中，利于推广应用。

公开(公告)号：CN1331754C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200510010204.4

申请日：2005-07-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐用军 ,  张克军 ,  王福平 ,  张密林 ,  张威震 ,  姜琳琳

IPC: C01F11/18 ,  B82B1/00

Abstract: 导电纳米碳酸钙及其制备方法，涉及一种导电材料及其制备方法。现有导电方法具有成本高、污染大、价格昂贵、影响产品质量的弊端。导电纳米碳酸钙，各成分按重量比例为，CaCO3∶Sn∶Sb＝55～90∶9～40∶1～10。导电纳米碳酸钙的制备方法，该方法包括以纳米碳酸钙为核体，在pH值＝1～6条件下，采用化学共沉淀法形成在纳米碳酸钙表面包覆二氧化锡掺杂锑的的过程。本发明导电纳米碳酸钙成本低，在使用中无污染，对于任何形状的制品都可以使用，导电纳米碳酸钙，颗粒均匀，体积电阻率低，形成的抗静电及导电塑料力学性能好，抗静电性能稳定。本发明的制备方法简单，易于工业化生产，可广泛应用于塑料、橡胶、高级油墨、涂料等产品中，利于推广应用。