公开(公告)号：CN102888599A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210430697.7

申请日：2012-11-01

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱星宝 ,  刘美林 ,  关成志 ,  吕喆 ,  魏波 ,  黄喜强 ,  张耀辉 ,  苏文辉 ,  甄良

IPC: C23C20/08

Abstract: 在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，涉及制备高致密度金属氧化物薄膜的方法的领域。本发明是要解决现有技术中在多孔基底材料上制备得到的金属氧化物薄膜致密度较低，不能满足实际应用的技术问题。本发明提供的在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法：一、在多孔基底材料覆盖一层前驱体溶液，二、施加电场并挥发溶剂，三、烧结。本发明应用于航空、航天、机械加工和电子信息领域。

公开(公告)号：CN102888599B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210430697.7

申请日：2012-11-01

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱星宝 ,  刘美林 ,  关成志 ,  吕喆 ,  魏波 ,  黄喜强 ,  张耀辉 ,  苏文辉 ,  甄良

IPC: C23C20/08

Abstract: 在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，涉及制备高致密度金属氧化物薄膜的方法的领域。本发明是要解决现有技术中在多孔基底材料上制备得到的金属氧化物薄膜致密度较低，不能满足实际应用的技术问题。本发明提供的在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法：一、在多孔基底材料覆盖一层前驱体溶液，二、施加电场并挥发溶剂，三、烧结。本发明应用于航空、航天、机械加工和电子信息领域。