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公开(公告)号：CN116184145A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211415078.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明提供了一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统，涉及半导体检测领域，通过将缺陷参数输入至位移缺陷模型中，相当于假定缺陷为位移缺陷，得到模拟出的仿真曲线，这个仿真曲线是MESFET器件发生位移缺陷的情况下得到的曲线，将仿真曲线与通过实际测试得到的性能曲线进行比较，当仿真曲线与性能曲线吻合的时候，就能够验证当前测试的MESFET器件中发生了位移缺陷。用这种方法对MESFET器件进行检测，不需要再通过多次退火试验来进行验证确认，仅对待测元件进行电学性能测试，获得性能曲线，再与模拟仿真获得的仿真曲线相互对比佐证，就能够准确的检测出位移缺陷，提高检测的速度。
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