公开(公告)号：CN109133966B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201811052291.3

申请日：2018-09-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张强 ,  佟兴宇 ,  武高辉 ,  芶华松 ,  杨文澍 ,  姜龙涛 ,  陈国钦 ,  修子扬

IPC: C04B37/02

Abstract: 一种层状梯度石墨膜/铝复合材料的制备方法，本发明涉及一种层状梯度石墨膜/铝复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决金属基复合材料作为电子封装基片，基片热膨胀系数的单一性与不可设计性，从而导致芯片热应力无法缓解、寿命降低的问题。本发明的制备方法为：一、预处理石墨膜与铝箔；二、制备预制体；三、放电等离子烧结方法气氛保护烧结。本发明采用两种或两种以上不同石墨体积分数的预制块堆垛在一起，然后进行预制体制备并进行烧结，使得材料在垂直于片层方向，热膨胀系数呈现梯度变化。梯度变化能够有效的缓解芯片热应力，提高芯片使用寿命。本发明应用于电子封装基片领域。

公开(公告)号：CN109133966A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811052291.3

申请日：2018-09-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张强 ,  佟兴宇 ,  武高辉 ,  芶华松 ,  杨文澍 ,  姜龙涛 ,  陈国钦 ,  修子扬

IPC: C04B37/02

CPC classification number: C04B37/021 ,  C04B2235/666 ,  C04B2237/52

Abstract: 一种层状梯度石墨膜/铝复合材料的制备方法，本发明涉及一种层状梯度石墨膜/铝复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决金属基复合材料作为电子封装基片，基片热膨胀系数的单一性与不可设计性，从而导致芯片热应力无法缓解、寿命降低的问题。本发明的制备方法为：一、预处理石墨膜与铝箔；二、制备预制体；三、放电等离子烧结方法气氛保护烧结。本发明采用两种或两种以上不同石墨体积分数的预制块堆垛在一起，然后进行预制体制备并进行烧结，使得材料在垂直于片层方向，热膨胀系数呈现梯度变化。梯度变化能够有效的缓解芯片热应力，提高芯片使用寿命。本发明应用于电子封装基片领域。

公开(公告)号：CN109133965A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811051318.7

申请日：2018-09-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张强 ,  佟兴宇 ,  武高辉 ,  芶华松 ,  杨文澍 ,  姜龙涛 ,  陈国钦 ,  修子扬

IPC: C04B37/02

CPC classification number: C04B37/021 ,  C04B2235/666 ,  C04B2237/52

Abstract: 一种二维高导热石墨膜/铝复合材料的制备方法，本发明涉及一种二维高导热石墨膜/铝复合材料的制备方法。本发明为了解决目前石墨膜/铝复合材料炉腔反应温度高、制备时间长以及石墨膜与铝基体界面反应严重的问题。本发明的制备方法为：一、预处理石墨膜与铝箔；二、制备预制体；三、放电等离子烧结方法气氛保护烧结。本发明采用等离子放电烧结的方法反应时间短，因此检测不出有Al4C3相生成，复合材料制备效率高，致密度高，可靠性高，热物理性能优异。本发明应用于电子封装基片领域。