公开(公告)号：CN107840941B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201711339028.8

申请日：2017-12-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 成中军 ,  张东杰 ,  刘宇艳 ,  钱艺豪 ,  余松吉 ,  万钧君

IPC: C08G59/50 ,  C08J5/00

Abstract: 一种亲水性形状记忆环氧树脂及其微阵列的制备方法及微阵列亲水性调控的方法。所述环氧树脂微阵列制备方法如下：使用光刻法对硅片进行刻蚀；利用聚二甲基硅氧烷对硅片进行赋形，得到与硅片阵列相反的聚二甲基硅氧烷模板；利用聚二甲基硅氧烷模板进行形状记忆环氧树脂阵列的赋形，得到亲水性形状记忆环氧树脂微阵列。所述调控方法为当环氧树脂微阵列处于原始的直立状态时，表面呈现超亲水状态，当环氧树脂阵列被压倒，表面呈现为亲水状态。本发明的优点是：本发明首次得到了亲水性形状记忆聚合物，通过与亲水改性剂共混，使本身疏水的环氧树脂变为亲水材料，并利用其形状记忆效应，控制表面的微观结构，制得在亲水和超亲水之间转换的亲水微阵列表面。

公开(公告)号：CN107840941A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201711339028.8

申请日：2017-12-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 成中军 ,  张东杰 ,  刘宇艳 ,  钱艺豪 ,  余松吉 ,  万钧君

IPC: C08G59/50 ,  C08J5/00

Abstract: 一种亲水性形状记忆环氧树脂及其微阵列的制备方法及微阵列亲水性调控的方法。所述环氧树脂微阵列制备方法如下：使用光刻法对硅片进行刻蚀；利用聚二甲基硅氧烷对硅片进行赋形，得到与硅片阵列相反的聚二甲基硅氧烷模板；利用聚二甲基硅氧烷模板进行形状记忆环氧树脂阵列的赋形，得到亲水性形状记忆环氧树脂微阵列。所述调控方法为当环氧树脂微阵列处于原始的直立状态时，表面呈现超亲水状态，当环氧树脂阵列被压倒，表面呈现为亲水状态。本发明的优点是：本发明首次得到了亲水性形状记忆聚合物，通过与亲水改性剂共混，使本身疏水的环氧树脂变为亲水材料，并利用其形状记忆效应，控制表面的微观结构，制得在亲水和超亲水之间转换的亲水微阵列表面。