公开(公告)号：CN105819510A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610167831.7

申请日：2016-03-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 果崇申 ,  刘绍琴 ,  丁丹丹

IPC: C01G39/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01G39/02 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了一种还原态氧化钼量子点材料的制备方法，所述方法具体步骤如下：将1～3g金属钼粉溶解于10 ml 30%双氧水中，在磁力搅拌下混合至钼粉全部溶解，加入0.5～5g还原剂，然后在反应釜中60～160℃晶化反应6～48小时，反应后将粉体样品离心，洗涤，真空干燥，即获得粉体样品。该方法直接合成的混合价态氧化钼量子点形貌均匀、尺寸小于5 nm，并且具备优异、稳定的近红外线吸收性能。

公开(公告)号：CN105819510B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610167831.7

申请日：2016-03-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 果崇申 ,  刘绍琴 ,  丁丹丹

IPC: C01G39/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种还原态氧化钼量子点材料的制备方法，所述方法具体步骤如下：将1～3g金属钼粉溶解于10 ml 30%双氧水中，在磁力搅拌下混合至钼粉全部溶解，加入0.5～5g还原剂，然后在反应釜中60～160℃晶化反应6～48小时，反应后将粉体样品离心，洗涤，真空干燥，即获得粉体样品。该方法直接合成的混合价态氧化钼量子点形貌均匀、尺寸小于5 nm，并且具备优异、稳定的近红外线吸收性能。