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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107312540A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710481109.5
申请日：2017-06-22
Abstract: 基于稀土掺杂氟化物纳米晶的980nm近红外光检测卡的制备方法，本发明属于稀土掺杂上转换纳米晶的显示技术应用领域，它为了解决现有近红外光检测卡片的成像对比度不高，光斑尺寸不易准确读取的问题。本发明首先制备得到NaYF4:Yb,Er纳米晶，然后取一张检测卡，使检测卡在NaYF4:Yb,Er纳米晶溶液中浸润，然后烘干，即得到980nm近红外光检测卡。本发明利用纳米材料的尺寸优势，通过浸润均匀持久的覆盖在卡片表面，不容易脱落，同时Yb3+-Er3+共掺通过能量传递上转换过程产生上转换荧光，其具有发光效率高的特点，因此，利用此材料开发980nm激光检测卡，实现了对激光的高对比度荧光成像，能清楚准确持久的检测激光的位置和光斑大小，并具有成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN107312540B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710481109.5
申请日：2017-06-22
Abstract: 基于稀土掺杂氟化物纳米晶的980nm近红外光检测卡的制备方法，本发明属于稀土掺杂上转换纳米晶的显示技术应用领域，它为了解决现有近红外光检测卡片的成像对比度不高，光斑尺寸不易准确读取的问题。本发明首先制备得到NaYF4:Yb,Er纳米晶，然后取一张检测卡，使检测卡在NaYF4:Yb,Er纳米晶溶液中浸润，然后烘干，即得到980nm近红外光检测卡。本发明利用纳米材料的尺寸优势，通过浸润均匀持久的覆盖在卡片表面，不容易脱落，同时Yb3+‑Er3+共掺通过能量传递上转换过程产生上转换荧光，其具有发光效率高的特点，因此，利用此材料开发980nm激光检测卡，实现了对激光的高对比度荧光成像，能清楚准确持久的检测激光的位置和光斑大小，并具有成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN110452701B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201910775582.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨学院
IPC: C09K11/85
Abstract: 基于稀土掺杂上转换纳米晶的混合精细调节色度的方法，本发明属于稀土掺杂上转换纳米晶的荧光成像，荧光显示领域，它为了实现稀土纳米晶的精细连续的颜色输出。调节色度的方法：按照不同的浓度配比将NaYF4:Yb3+,Er3+纳米晶溶液与NaYF4:Yb3+,Tm3+纳米晶溶液混合均匀，得到纳米晶混合液，激发条件下分别测量不同浓度配比的纳米晶混合液的上转换荧光光谱，根据荧光色度，建立色度值和纳米晶混合液浓度配比的关系曲线，根据该关系曲线获得预期色度下的纳米晶混合液的浓度配比关系，从而完成精细色度的调节。本发明不同种类稀土离子掺杂的纳米晶通过混合的方式，实现稀土纳米晶颜色输出的连续调节。
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公开(公告)号：CN110452701A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910775582.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨学院
IPC: C09K11/85
Abstract: 基于稀土掺杂上转换纳米晶的混合精细调节色度的方法，本发明属于稀土掺杂上转换纳米晶的荧光成像，荧光显示领域，它为了实现稀土纳米晶的精细连续的颜色输出。调节色度的方法：按照不同的浓度配比将NaYF4:Yb3+,Er3+纳米晶溶液与NaYF4:Yb3+,Tm3+纳米晶溶液混合均匀，得到纳米晶混合液，激发条件下分别测量不同浓度配比的纳米晶混合液的上转换荧光光谱，根据荧光色度，建立色度值和纳米晶混合液浓度配比的关系曲线，根据该关系曲线获得预期色度下的纳米晶混合液的浓度配比关系，从而完成精细色度的调节。本发明不同种类稀土离子掺杂的纳米晶通过混合的方式，实现稀土纳米晶颜色输出的连续调节。
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公开(公告)号：CN109406468A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811240135.X
申请日：2018-10-23
Applicant: 哈尔滨学院
Abstract: 镱铒共掺氟化钇钠纳米晶中敏化离子和激活离子能级无辐射弛豫系数的测量方法，本发明属于稀土掺杂上转换纳米晶的荧光成像应用领域，它为了解决目前现有无法测量稀土离子能级无辐射弛豫系数W的问题。测量方法：首先制备核壳壳结构纳米晶，中心是NaYF4核，在其外侧包覆NaYF4:Yb3+,Er3+发光层，最外层NaYF4屏蔽壳层，得到核壳壳结构纳米晶，测量纳米晶敏化离子和激活离子的时间分辨光谱曲线，得到敏化和激活离子寿命值。根据能级辐射理论跃迁几率A＝A0+W，分别得到敏化和激活离子的能级无辐射弛豫系数。本发明给出环境和能级无辐射弛豫系数之间的关系，确定最佳的屏蔽壳层厚度，从而提高稀土离子的上转换发光效率。
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