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公开(公告)号：CN111555724A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010372710.2
申请日：2020-05-06
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种接收机，包括：第一放大器、无源混频器和滤波器；其中，所述第一放大器包括第一开关管、第二开关管和电阻；所述第一开关管的源极与电源连接，所述第一开关管的漏极与所述第二开关管的漏极连接，所述第一开关管的栅极作为所述放大器的输入端；所述第二开关管的源极与地连接，所述第二开关管的栅极与所述输入端连接，所述第二开关管的漏极作为所述放大器的输出端；所述电阻跨接在所述输入端与所述输出端之间。本发明提供的接收机不仅实现宽带匹配且提高前端线性度。
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公开(公告)号：CN108306653B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710450004.3
申请日：2017-06-14
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种射频前端模块、集成射频接收机芯片及控制方法。其中，该射频前端模块包括低噪声放大器、第一谐振电路、辅助校准振荡器和射频滤波器，低噪声放大器分别与第一谐振电路、射频滤波器电性连接，第一谐振电路与辅助校准振荡器电性连接；辅助校准振荡器用于控制第一谐振电路，以致辅助校准振荡器在用户所需频率下工作；第一谐振电路用于当辅助校准振荡器关闭时，致使低噪声放大器、射频滤波器在用户所需频率下工作。本发明通过第一谐振电路和辅助校准振荡器，以致低噪声放大器和射频滤波器集成为一体，从而提升了射频前端模块的集成度、减小了应用该射频前端模块的芯片的尺寸、降低了应用该射频前端模块的芯片的生产成本。
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公开(公告)号：CN111562805A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010406337.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种校准电路，包括：所述第一电压集生成模块，用于根据第一基准电压生成第一电压集；所述第一电压集包括n个电压；所述比较模块，用于将所述第一电压集中的n个电压分别与待校准电压进行比较，并向所述译码模块输出n个比较结果；所述译码模块，用于将所述n个比较结果译码为相应的码字；所述第二电压集生成模块，用于根据第二基准电压生成第二电压集；所述第二电压集包括m个电压；所述开关模块，用于根据所述码字输出所述第二电压集中与所述码字对应的电压。本发明公开的校准电路能够实现对待校准电压进行校准。
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公开(公告)号：CN111614354A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010407317.2
申请日：2020-05-14
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请实施例公开了一种模数转换器的电容权重的校准电路。所述方法包括：与逐次逼近寄存器型模数转换器SAR ADC相连，所述电路包括：正向电容阵列Cmp～C0p、负向电容阵列Cmn～C0n、比较器、控制单元、正向电容阵列对应的正向控制开关组Smp～S1p以及负向电容阵列对应的负向控制开关组Smn～S1n，比较器，用于比较正向电容阵列上极板的电压Vp与负向电容阵列上极板的电压Vn，并产生比较结果；控制单元，与所述比较器相连，用于根据比较结果，产生控制信号，其中所述控制信号控制所述正向控制开关组Smp～S1p和负向控制开关组Smn～S1n连接基准电压VREF或地GND；其中，m为大于等于2的整数。
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公开(公告)号：CN111585539A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010338511.X
申请日：2020-04-26
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
IPC: H03H9/17
Abstract: 本申请实施例公开了一种晶体振荡器电路及其控制方法，晶体振荡器电路包括第一放大器和第二放大器；第一放大器的信号输出端与第二放大器的信号输入端相连；第一放大器的信号输入端和信号输出端之间并联有晶体；第一放大器的信号输入端与地之间串联有第一电容，所述第一放大器的信号输出端与地之间串联有第二电容；第二放大器的信号输出端为晶体振荡器电路的时钟信号输出端；第一放大器可以包括N个相互并联的第一MOS电路，N≥1，N为正整数；每个第一MOS电路包括多个相互串联的MOS管。通过该实施例方案，降低了功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212518948U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020805340.2
申请日：2020-05-14
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请实施例公开了一种电容权重的校准电路。所述电路包括：正向电容阵列Cmp～C0p、负向电容阵列Cmn～C0n、比较器、处理器、正向电容阵列对应的正向控制开关组Smp～S1p以及负向电容阵列对应的负向控制开关组Smn～S1n，其中比较器，用于比较正向电容阵列上极板的电压Vp与负向电容阵列上极板的电压Vn，并产生比较结果；处理器，与所述比较器相连，用于根据比较结果，产生控制信号，其中所述控制信号控制所述正向控制开关组Smp～S1p和负向控制开关组Smn～S1n连接基准电压VREF或地GND；其中，m为大于等于2的整数。
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公开(公告)号：CN212463157U
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202020721937.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种接收机，包括：第一放大器、无源混频器和滤波器；其中，所述第一放大器包括第一开关管、第二开关管和电阻；所述第一开关管的源极与电源连接，所述第一开关管的漏极与所述第二开关管的漏极连接，所述第一开关管的栅极作为所述放大器的输入端；所述第二开关管的源极与地连接，所述第二开关管的栅极与所述输入端连接，所述第二开关管的漏极作为所述放大器的输出端；所述电阻跨接在所述输入端与所述输出端之间。本实用新型提供的接收机不仅实现宽带匹配且提高前端线性度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212518916U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020651623.6
申请日：2020-04-26
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
IPC: H03B5/02
Abstract: 本实用新型实施例公开了一种晶体振荡器电路，包括：第一放大器、第二放大器和低压差线性稳压器LDO；第一放大器的信号输出端与第二放大器的信号输入端相连；第一放大器的信号输入端和信号输出端之间并联有晶体；第一放大器的信号输入端与地之间串联有第一电容，第一放大器的信号输出端与地之间串联有第二电容；第二放大器的信号输出端为晶体振荡器电路的时钟信号输出端；第一放大器包括N个相互并联的第一MOS电路；第一MOS电路包括：至少一个第一PMOS管和至少一个第一NMOS管；所述至少一个第一PMOS管和所述至少一个第一NMOS管均相互串联；LDO设置为向第一放大器和第二放大器提供电源电压。通过该实施例方案，降低了功耗，实现了宽电压输入。
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公开(公告)号：CN212515512U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020797250.3
申请日：2020-05-14
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司 , 和芯星通科技(北京)有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开了一种校准电路，包括：所述第一电压集生成模块，用于根据第一基准电压生成第一电压集；所述第一电压集包括n个电压；所述比较模块，用于将所述第一电压集中的n个电压分别与待校准电压进行比较，并向所述译码模块输出n个比较结果；所述译码模块，用于将所述n个比较结果译码为相应的码字；所述第二电压集生成模块，用于根据第二基准电压生成第二电压集；所述第二电压集包括m个电压；所述开关模块，用于根据所述码字输出所述第二电压集中与所述码字对应的电压。本实用新型公开的校准电路能够实现对待校准电压进行校准。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN108306653A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710450004.3
申请日：2017-06-14
Applicant: 和芯星通(上海)科技有限公司
IPC: H04B1/16
CPC classification number: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种射频前端模块、集成射频接收机芯片及控制方法。其中，该射频前端模块包括低噪声放大器、第一谐振电路、辅助校准振荡器和射频滤波器，低噪声放大器分别与第一谐振电路、射频滤波器电性连接，第一谐振电路与辅助校准振荡器电性连接；辅助校准振荡器用于控制第一谐振电路，以致辅助校准振荡器在用户所需频率下工作；第一谐振电路用于当辅助校准振荡器关闭时，致使低噪声放大器、射频滤波器在用户所需频率下工作。本发明通过第一谐振电路和辅助校准振荡器，以致低噪声放大器和射频滤波器集成为一体，从而提升了射频前端模块的集成度、减小了应用该射频前端模块的芯片的尺寸、降低了应用该射频前端模块的芯片的生产成本。
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