公开(公告)号：CN110038445B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201910277265.9

申请日：2019-04-08

Applicant: 同济大学

Inventor： 于水利 ,  黄萌 ,  程传伟

IPC: B01D67/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/06 ,  B01D71/36

Abstract: 一种疏水膜亲水改性方法，对疏水膜进行低温低功率等离子体处理后，进行单体接枝，再进行原子层沉积，使膜亲水性得到改善、通量增大；首先用低温射频等离子体对疏水膜进行处理，使膜表面产生活性位点，增大膜表面吸附性能；之后，进行多巴胺单体接枝，以提高后续原子层三维沉积工艺效果；对接枝处理后的疏水膜配以前驱体，在高温下，在膜上进行吸附和反应，以对疏水膜进行原子层的三维沉积。本发明是一种实现膜表面超亲水、通量增大、耐压性提升，时效性优良的方法。

公开(公告)号：CN110038445A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910277265.9

申请日：2019-04-08

Applicant: 同济大学

Inventor： 于水利 ,  黄萌 ,  程传伟

IPC: B01D67/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/06 ,  B01D71/36

Abstract: 一种疏水膜亲水改性方法，对疏水膜进行低温低功率等离子体处理后，进行单体接枝，再进行原子层沉积，使膜亲水性得到改善、通量增大；首先用低温射频等离子体对疏水膜进行处理，使膜表面产生活性位点，增大膜表面吸附性能；之后，进行多巴胺单体接枝，以提高后续原子层三维沉积工艺效果；对接枝处理后的疏水膜配以前驱体，在高温下，在膜上进行吸附和反应，以对疏水膜进行原子层的三维沉积。本发明是一种实现膜表面超亲水、通量增大、耐压性提升，时效性优良的方法。