公开(公告)号：CN110322936B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201910578180.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 同济大学

Inventor： 谢晗 ,  樊维佳

IPC: G16C60/00

Abstract: 本发明所涉及的二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法，包括：在软件中对二维磁性材料的简立方晶体进行模拟取其单层简立方晶体原子进行计算，以单层简立方晶体的中心原子为坐标系原点建立空间向量坐标系，并且标记每一个原子的坐标。将距离所述中心原子最近的原子进行矢量处理，得出DM作用的哈密顿量，基于公式得出基于得出对所述磁性材料中所有原子的磁化强度进行矢量求和，即可得出材料整体的磁化强度的方向。

公开(公告)号：CN110322936A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910578180.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 同济大学

Inventor： 谢晗 ,  樊维佳

IPC: G16C60/00

Abstract: 本发明所涉及的二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法，包括：在软件中对二维磁性材料的简立方晶体进行模拟取其单层简立方晶体原子进行计算，以单层简立方晶体的中心原子为坐标系原点建立空间向量坐标系，并且标记每一个原子的坐标。将距离所述中心原子最近的原子进行矢量处理，得出DM作用的哈密顿量，基于公式 得出 基于得出 对所述磁性材料中所有原子的磁化强度进行矢量求和，即可得出材料整体的磁化强度的方向。