公开(公告)号：CN108206214A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201611169169.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 同济大学

Inventor： 张静 ,  柯三黄

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/92 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种基于金‑黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备，所述的负微分电阻场效应晶体管包括构成源极和漏极的两个金电极，位于两个金电极之间的中间散射区的二维层状材料黑磷烯，以及位于所述黑磷烯两边的栅极，其中，所述黑磷烯的两端分别与所述两个金电极接触耦合。与现有技术相比，本发明采用的黑磷烯具有独特的直接带隙半导体的电子特性，沿着锯齿(zigzag)型方向排列的黑磷烯与金电极(100)表面接触，可以形成独特的电子整流和负微分电阻效应，此外，负微分电阻效应在门电压的作用下也比较稳定，与器件的半导体衬底材料无关，该负微分电阻晶体器件优良，结构新颖，可以广泛应用于半导体纳米晶体器件当中。

公开(公告)号：CN108206239B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201611167302.3

申请日：2016-12-16

Applicant: 同济大学

Inventor： 张静 ,  柯三黄

IPC: H01L47/00

Abstract: 本发明涉及一种基于金‑铁电单晶体系的负微分电阻效应器件及其制备，所述的负微分电阻效应器件包括分别作为源极和漏极的两个金电极，接触设置在两个金电极之间并构成中间散射区的铁电单晶，以及分别连接所述铁电单晶两边的栅极，所述的金电极、铁电单晶均为位于X轴和Y轴构成平面内的薄层材料，所述的两个金电极和铁电单晶以“金电极‑铁电单晶‑金电极”式的“三明治结构”沿Z轴周期性排列并构成所述负微分电阻效应器件。与现有技术相比，本发明的CdPbO3中Cd2+的4d轨道的态密度与金电极(Au)表面态之间耦合，导致在一定偏压范围内电流会随偏压增大反而减小的负微分电阻效应，有望成为下一代制备高性能电子元器件的候选。

公开(公告)号：CN108206239A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201611167302.3

申请日：2016-12-16

Applicant: 同济大学

Inventor： 张静 ,  柯三黄

IPC: H01L47/00

Abstract: 本发明涉及一种基于金‑铁电单晶体系的负微分电阻效应器件及其制备，所述的负微分电阻效应器件包括分别作为源极和漏极的两个金电极，接触设置在两个金电极之间并构成中间散射区的铁电单晶，以及分别连接所述铁电单晶两边的栅极，所述的金电极、铁电单晶均为位于X轴和Y轴构成平面内的薄层材料，所述的两个金电极和铁电单晶以“金电极‑铁电单晶‑金电极”式的“三明治结构”沿Z轴周期性排列并构成所述负微分电阻效应器件。与现有技术相比，本发明的CdPbO3中Cd2+的4d轨道的态密度与金电极(Au)表面态之间耦合，导致在一定偏压范围内电流会随偏压增大反而减小的负微分电阻效应，有望成为下一代制备高性能电子元器件的候选。

公开(公告)号：CN108206214B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201611169169.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 同济大学

Inventor： 张静 ,  柯三黄

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/92 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种基于金‑黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备，所述的负微分电阻场效应晶体管包括构成源极和漏极的两个金电极，位于两个金电极之间的中间散射区的二维层状材料黑磷烯，以及位于所述黑磷烯两边的栅极，其中，所述黑磷烯的两端分别与所述两个金电极接触耦合。与现有技术相比，本发明采用的黑磷烯具有独特的直接带隙半导体的电子特性，沿着锯齿(zigzag)型方向排列的黑磷烯与金电极(100)表面接触，可以形成独特的电子整流和负微分电阻效应，此外，负微分电阻效应在门电压的作用下也比较稳定，与器件的半导体衬底材料无关，该负微分电阻晶体器件优良，结构新颖，可以广泛应用于半导体纳米晶体器件当中。

公开(公告)号：CN108206204B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201611169168.0

申请日：2016-12-16

Applicant: 同济大学

Inventor： 张静 ,  柯三黄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及一种基于钴‑分子多铁材料的自旋过滤异质结器件及其制备，所述的自旋过滤异质结器件包括分别作为源极和漏极的两个钴电极，构成两个钴电极之间的中间散射区材料薄层的分子多铁材料(NH4)3Cr2O8，以及连接分子多铁材料(NH4)3Cr2O8两边的栅极，所述的两个钴电极均为金属材料钴形成的薄层。与现有技术相比，本发明由于分子多铁材料Cs(NH4)CrO8磁性中心铬离子(Cr5+)的3d轨道之间自旋相互作用，其与Co电极表面接触形成了独特的自旋过滤效应，此外，自旋过滤效应性能良好稳定，与器件的半导体衬底的种类无关，易于实现，可以普遍应用于分子半导体电子器件当中。

公开(公告)号：CN108206204A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201611169168.0

申请日：2016-12-16

Applicant: 同济大学

Inventor： 张静 ,  柯三黄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及一种基于钴‑分子多铁材料的自旋过滤异质结器件及其制备，所述的自旋过滤异质结器件包括分别作为源极和漏极的两个钴电极，构成两个钴电极之间的中间散射区材料薄层的分子多铁材料(NH4)3Cr2O8，以及连接分子多铁材料(NH4)3Cr2O8两边的栅极，所述的两个钴电极均为金属材料钴形成的薄层。与现有技术相比，本发明由于分子多铁材料Cs(NH4)CrO8磁性中心铬离子(Cr5+)的3d轨道之间自旋相互作用，其与Co电极表面接触形成了独特的自旋过滤效应，此外，自旋过滤效应性能良好稳定，与器件的半导体衬底的种类无关，易于实现，可以普遍应用于分子半导体电子器件当中。