公开(公告)号：CN101431148A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810201078.4

申请日：2008-10-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 甘礼华 ,  田雨辰 ,  刘明贤 ,  曾娅玲 ,  陈龙武

IPC: H01L51/56 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明涉及一种能提高CdTe纳米复合薄膜发光强度的方法。先用摩尔比为1∶1.7－2.0的硼氢化钠与碲粉制得NaHTe溶液，然后将其加入CdCl2和巯基丙酸混合溶液中，加入量按CdCl2∶NaHTe∶巯基丙酸＝2∶1∶2～8摩尔比进行，在50～110℃回流5min～50h，即得到CdTe纳米晶溶液。接着在50～100℃下，苯乙烯单体聚合反应12～48h制备聚苯乙烯微球。然后配置浓度均为0.01～2.0mol·L－1、pH为6～12的PDDA与PSS聚电解质溶液。最后在聚苯乙烯微球上重复组装PDDA与PSS聚电解质后，将CdTe纳米晶和同体积的1×10－10～10mol/L的Zn2+引入反应，组装得到一层PS/PDDA/PSS/PDDA/CdTe荧光复合膜；重复以上的聚电解质层－纳米晶操作，得到高发光强度CdTe纳米复合薄膜。本发明工艺简单、设备要求和投入低、与纯的CdTe纳米复合薄膜相比，发光强度明显提高。

公开(公告)号：CN101431148B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810201078.4

申请日：2008-10-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 甘礼华 ,  田雨辰 ,  刘明贤 ,  曾娅玲 ,  陈龙武

IPC: H01L51/56 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明涉及一种能提高CdTe纳米复合薄膜发光强度的方法。先用摩尔比为1∶1.7-2.0的硼氢化钠与碲粉制得NaHTe溶液，然后将其加入CdCl2和巯基丙酸混合溶液中，加入量按CdCl2(∶NaHTe∶巯基丙酸＝2∶1∶2～8摩尔比进行，在50～110℃回流5min～50h，即得到CdTe纳米晶溶液。接着在50～100℃下，苯乙烯单体聚合反应12～48h制备聚苯乙烯微球。然后配置浓度均为0.01～2.0mol·L-1、pH为6～12的PDDA与PSS聚电解质溶液。最后在聚苯乙烯微球上重复组装PDDA与PSS聚电解质后，将CdTe纳米晶和同体积的1×10-10～10mol/L的Zn2+引入反应，组装得到一层PS/PDDA/PSS/PDDA/CdTe荧光复合膜；重复以上的聚电解质层-纳米晶操作，得到高发光强度CdTe纳米复合薄膜。本发明工艺简单、设备要求和投入低、与纯的CdTe纳米复合薄膜相比，发光强度明显提高。