公开(公告)号：CN119430941A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202510014131.3

申请日：2025-01-06

Applicant: 同济大学

Inventor： 姜本学 ,  刘华 ,  马玄哲 ,  宋一平

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种基于晶界调控气孔分布的GOS闪烁陶瓷及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：加入硫氧化钆、分散剂，配制充分分散的硫氧化钆浆料；在大于1T的强磁场环境中，使用吸浆模具成型，使硫氧化钆颗粒的c轴沿磁场方向择优排列；脱模并干燥成型的湿坯；将干燥后的坯体在800‑1200℃预烧；采用放电等离子烧结（SPS）在1750‑1900℃烧结，最终制备出晶粒定向排列的硫氧化钆闪烁陶瓷，即为所述基于晶界调控气孔分布的GOS闪烁陶瓷。与现有技术相比，本发明的方法通过结合磁场定向技术和先进的放电等离子烧结（SPS）工艺，系统性地优化制备流程，实现了材料性能和生产效率的双提升。

公开(公告)号：CN119390427A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202510014128.1

申请日：2025-01-06

Applicant: 同济大学

Inventor： 姜本学 ,  马玄哲 ,  宋一平 ,  刘华 ,  黄世明

IPC: C04B35/04 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：将氧化镁和氧化钇按照预定比例混合得到基材，加入含钇的氟化物作为烧结助剂，所述含钇的氟化物的添加质量为基材的质量的1~10%，形成复相陶瓷坯体；将复相陶瓷坯体在惰性无氧气氛中烧结，得到所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷；所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷的刻蚀深度为300~500nm/h。与现有技术相比，采用含钇的氟化物作为烧结助剂，在陶瓷表面形成稳定的保护性氟化层，提高陶瓷的耐刻蚀性，同时避免刻蚀环境下分解并引入杂质的风险，所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷特别适用于半导体制造中的刻蚀设备。

公开(公告)号：CN119390427B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510014128.1

申请日：2025-01-06

Applicant: 同济大学

Inventor： 姜本学 ,  马玄哲 ,  宋一平 ,  刘华 ,  黄世明

IPC: C04B35/04 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：将氧化镁和氧化钇按照预定比例混合得到基材，加入含钇的氟化物作为烧结助剂，所述含钇的氟化物的添加质量为基材的质量的1~10%，形成复相陶瓷坯体；将复相陶瓷坯体在惰性无氧气氛中烧结，得到所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷；所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷的刻蚀深度为300~500nm/h。与现有技术相比，采用含钇的氟化物作为烧结助剂，在陶瓷表面形成稳定的保护性氟化层，提高陶瓷的耐刻蚀性，同时避免刻蚀环境下分解并引入杂质的风险，所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷特别适用于半导体制造中的刻蚀设备。