公开(公告)号：CN119351099A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411908436.0

申请日：2024-12-24

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 李永涛 ,  郭甜甜 ,  黄德馨 ,  吴楚涵 ,  张学建 ,  孙欣然 ,  刘卉昇 ,  夏涵 ,  夏晨阳 ,  李晓雪 ,  任彦璇 ,  杨晓彤

IPC: C09K11/78 ,  H10H20/851

Abstract: 本发明属于发光材料技术领域，具体涉及应用于一种紫外激发的铌酸盐白光发射荧光粉的制备方法。所述荧光粉的化学表达式为Sr2La1‑x‑yNbO6:xDy3+,yEu3+，其中1%≤x≤5%，0.1%≤y≤ 0.5%。本发明通过高温固相法合成Dy3+和Eu3+共掺杂铌酸盐荧光粉Sr2La1‑x‑yNbO6:xDy3+,yEu3+。在近紫外光的激发下，能够直接发射出白光，发射峰覆盖了可见光区域中450 nm~650 nm，峰位位于485 nm,580 nm以及612 nm，最终在单组分中实现了白色发光。本发明制备工艺简单，不采用苛刻的制备条件；且激发波段位于紫外区域，避免了与激发光的重叠，并且不存在重吸收的问题。

公开(公告)号：CN119465374A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202510039563.X

申请日：2025-01-10

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 李永涛 ,  黄德馨 ,  张学建 ,  刘卉昇 ,  齐海娜 ,  孙欣然 ,  吴楚涵 ,  曾繁明 ,  李晓雪 ,  任彦璇 ,  杨晓彤

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/36 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明提出的一种用于紫外芯片薄膜衬底的氯化钾晶体生长方法，属于晶体生长工艺领域，该生长方法是采用提拉法在大气环境下生长大截面氯化钾晶体的方法，包括原料纯化、装料、升温、引晶、放肩、收肩、等径生长、拉脱、退火等步骤。该方法可以获得直径Φ110 mm‑150 mm的大截面高质量的氯化钾晶体。所获得的晶体测试表明：该氯化钾晶体在红外波段透过率大于91%，XRD显示晶体纯度高，没有杂峰，该晶体在紫外芯片薄膜衬底和红外窗口等领域具有较大应用价值。