一种半导体金属氧化物气体传感器、气敏材料及制备方法

    公开(公告)号:CN115184409A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210670309.6

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域,具体地而言为一种半导体金属氧化物气体传感器、气敏材料及制备方法,包括制备Ce元素掺杂的SnO2材料;将去离子水与制备的Ce元素掺杂的SnO2材料混合形成浆液,将其涂在带有一对金电极的陶瓷管上,干燥后,将带有传感材料的陶瓷管放入马弗炉中,并在400℃下退火2小时;将获得的带有传感材料的陶瓷管焊接在六角形底座上,解决二氧化氮气体传感器对二氧化氮气体(NO2)的检测下限过高,不能对低浓度的二氧化氮气体进行有效的检测,同时在复杂多变的现实环境中,湿度的变化对传感器的检测性能又有着严重的干扰的问题,有着更低的检测下限和更高的灵敏度,并且在抗湿的性能方面有着很大的改善和提高。

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