公开(公告)号：CN118005941A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410196523.1

申请日：2024-02-22

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 刘智 ,  谷俊红 ,  侯兆妍 ,  李阳雪 ,  刘志生

IPC: C08G83/00 ,  C02F1/28 ,  B01J20/26 ,  B01J20/30

Abstract: 一种Ga‑TATB材料的快速室温制备方法及应用，制备方法如下：将Ga(NO3)3·xH2O溶于去离子水中，保持溶液浓度为0.2 mol/L，超声使其充分溶解；将2，4，6‑三（4‑羧基苯基）‑1，3，5‑三嗪溶于去离子水中，保持溶液浓度为0.2 mol/L，加入三乙胺促进溶解，超声使其充分溶解；将步骤一和步骤二的两种溶液混合，Ga‑TATB立即形成，倒置容器Ga‑TATB不流动；将所获的Ga‑TATB用去离子水洗涤3–4次以除去多余的金属离子和配体，离心分离后，进行冷冻干燥，得到干燥的Ga‑TATB；本发明合成的Ga‑TATB具有制备方法简便、比表面积较大、孔道结构多级次、活性位点丰富和吸附量较大等优点，在去除水溶液中的TC方面拥有潜在的应用前景。