一种以TBA-Azo为界面疏水层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN110970564B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201911334276.2

    申请日:2019-12-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种以TBA‑Azo材料为界面疏水层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域,所述电池由ITO/PTAA/MAPbI3/TBA‑Azo:PCBM/C60/BCP/Cu组成。本发明使用的TBA‑Azo疏水材料将有效的填充三维钙钛矿材料的界面与表面,从而有效阻止三维钙钛矿中有效成分的挥发;另一方面其具有的独特的疏水结构,将使得空气中的水分被阻挡,大大增加了钙钛矿太阳能电池的抗水性。在此基础上,TBA‑Azo作为界面钝化层材料,与PCBM材料共混,将与钙钛矿材料界面与表面中剩余未匹配的Pb离子结合,进而有效消除钙钛矿本身存在的深能级缺陷,从而增加钙钛矿太阳能电池器件的效率。

    一种以TBA-Azo为界面疏水层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN110970564A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201911334276.2

    申请日:2019-12-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种以TBA-Azo材料为界面疏水层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域,所述电池由ITO/PTAA/MAPbI3/TBA-Azo:PCBM/C60/BCP/Cu组成。本发明使用的TBA-Azo疏水材料将有效的填充三维钙钛矿材料的界面与表面,从而有效阻止三维钙钛矿中有效成分的挥发;另一方面其具有的独特的疏水结构,将使得空气中的水分被阻挡,大大增加了钙钛矿太阳能电池的抗水性。在此基础上,TBA-Azo作为界面钝化层材料,与PCBM材料共混,将与钙钛矿材料界面与表面中剩余未匹配的Pb离子结合,进而有效消除钙钛矿本身存在的深能级缺陷,从而增加钙钛矿太阳能电池器件的效率。

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