公开(公告)号：CN112397603B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202011277737.X

申请日：2020-11-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  颜路明 ,  周敬然 ,  刘彩霞 ,  李昕

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、采用溶胶‑凝胶法在石英片衬底上制备的Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层、在Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层表面采用磁控溅射法制备的Au叉指电极组成；其中，石英片衬底的厚度为1～2mm，光敏感层的厚度为200～300nm；本发明通过在TiO2纳米薄膜中掺杂Yb使半导体整体的费米能级有所提高，增加了金属与半导体之间肖特基势垒，在暗态下能有效降低暗电流。并且随着掺杂浓度的增加，器件的整体吸收波长会发生蓝移，从而为太阳盲紫外探测器的实际应用提供了新的思路。

公开(公告)号：CN112397603A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202011277737.X

申请日：2020-11-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  颜路明 ,  周敬然 ,  刘彩霞 ,  李昕

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、采用溶胶‑凝胶法在石英片衬底上制备的Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层、在Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层表面采用磁控溅射法制备的Au叉指电极组成；其中，石英片衬底的厚度为1～2mm，光敏感层的厚度为200～300nm；本发明通过在TiO2纳米薄膜中掺杂Yb使半导体整体的费米能级有所提高，增加了金属与半导体之间肖特基势垒，在暗态下能有效降低暗电流。并且随着掺杂浓度的增加，器件的整体吸收波长会发生蓝移，从而为太阳盲紫外探测器的实际应用提供了新的思路。