一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112397603B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202011277737.X

    申请日:2020-11-16

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法,属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、采用溶胶‑凝胶法在石英片衬底上制备的Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层、在Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层表面采用磁控溅射法制备的Au叉指电极组成;其中,石英片衬底的厚度为1~2mm,光敏感层的厚度为200~300nm;本发明通过在TiO2纳米薄膜中掺杂Yb使半导体整体的费米能级有所提高,增加了金属与半导体之间肖特基势垒,在暗态下能有效降低暗电流。并且随着掺杂浓度的增加,器件的整体吸收波长会发生蓝移,从而为太阳盲紫外探测器的实际应用提供了新的思路。

    一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112397603A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011277737.X

    申请日:2020-11-16

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法,属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、采用溶胶‑凝胶法在石英片衬底上制备的Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层、在Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层表面采用磁控溅射法制备的Au叉指电极组成;其中,石英片衬底的厚度为1~2mm,光敏感层的厚度为200~300nm;本发明通过在TiO2纳米薄膜中掺杂Yb使半导体整体的费米能级有所提高,增加了金属与半导体之间肖特基势垒,在暗态下能有效降低暗电流。并且随着掺杂浓度的增加,器件的整体吸收波长会发生蓝移,从而为太阳盲紫外探测器的实际应用提供了新的思路。

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