一种无铅的锡基卤化物钙钛矿薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN117082955A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310990188.8

    申请日:2023-08-08

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 王宁 韩东远 王洁

    Abstract: 一种无铅的锡基卤化物钙钛矿薄膜制备方法与应用,涉及半导体光电器件领域,利用本发明的方法制备的钙钛矿薄膜具有较高的空气稳定性,抑制锡氧化,降低了薄膜的缺陷态密度,提高载流子寿命。包括以下步骤:一、分别将AX、BX和CX按照摩尔比例称量后,一起溶解在有机溶剂中,获得溶液D;二、在溶液D添加一定量的E,获得溶液F;三、溶液F在预定的温度,再搅拌一段时间后,通过一步旋涂的方法获得钙钛矿薄膜;四、将步骤三获得钙钛矿薄膜在一定温度下退火一段时间后,则获得无铅高效率稳定的钙钛矿薄膜。本发明所制备出的钙钛矿薄膜可应用于钙钛矿发光二极管和钙钛矿太阳电池等领域。

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