公开(公告)号：CN100496696C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510016652.5

申请日：2005-03-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 郭伟力 ,  贾晓鹏 ,  陈立学 ,  马红安 ,  卜雨洲 ,  邹广田

IPC: B01J3/06 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明的用碱金属氟化物合成立方氮化硼的方法属超硬材料的高温高压合成领域。用六方氮化硼做原料，以LiF和Li3N混合物为触媒，加入LiH作为添加剂，混合均匀后预压成型，再装入石墨管中组装成合成块。合成温度为1000～1800℃，合成压力4.0～6.0GPa，合成时间3～8分钟，合成产物经化学处理后得到红黄色透明的立方氮化硼单晶体。本发明由于触媒中加入了LiF，合成温度、压力范围宽，合成物产率高。

公开(公告)号：CN1686602A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN200510016653.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 郭伟力 ,  贾晓鹏 ,  马红安 ,  陈立学 ,  卜雨洲 ,  邹广田

IPC: B01J3/06 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明的用碱土金属氟化物合成立方氮化硼的方法属超硬材料的高温高压合成领域。用六方氮化硼做原料，以CaF2或/和MgF2和Li3N混合物为触媒，加入LiH作为添加剂，混合均匀后预压成型，再装入石墨管中组装成合成块。合成温度为1000～1800℃，合成压力4.0～6.0GPa，合成时间3～8分钟，合成产物经化学处理后得到红黄色透明的立方氮化硼单晶体。本发明由于触媒中加入了CaF2或/和MgF2，合成温度、压力范围宽，合成物产率高。

公开(公告)号：CN1686601A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN200510016652.5

申请日：2005-03-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 郭伟力 ,  贾晓鹏 ,  陈立学 ,  马红安 ,  卜雨洲 ,  邹广田

IPC: B01J3/06 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明的用碱金属氟化物合成立方氮化硼的方法属超硬材料的高温高压合成领域。用六方氮化硼做原料，以LiF和Li3N混合物为触媒，加入LiH作为添加剂，混合均匀后预压成型，再装入石墨管中组装成合成块。合成温度为1000～1800℃，合成压力4.0～6.0GPa，合成时间3～8分钟，合成产物经化学处理后得到红黄色透明的立方氮化硼单晶体。本发明由于触媒中加入了LiF，合成温度、压力范围宽，合成物产率高。

公开(公告)号：CN1375450A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02109367.9

申请日：2002-03-27

Applicant: 吉林大学

Inventor： 朱品文 ,  贾晓鹏 ,  陈立学 ,  郭伟力 ,  邹广田

IPC: C01B19/04 ,  C01B21/00 ,  H01L35/00 ,  H01L37/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40

Abstract: 本发明属于一种块纳米半导体PbTe材料的高温高压合成方法。主要是提高材料的热电转换性能,以利于实际应用。本发明以铅粉(Pb)和碲粉(Te)为原料,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却等工艺过程制得PbTe材料。所说的混料压块是将铅粉和碲粉按摩尔比1∶1进行混合、按合成腔体大小压成块状。所说的高温高压合成是在压机上进行的,合成压力为1.0～6.0Gpa、温度为850～1400K。保压保温后以50～200K/s的降温速率进行冷却。本发明合成的PbTe材料具有NaCl结构,晶粒大小为纳米量级,热导率的值低于1.5w/m.k,电导率的值高于10－4Ω·m量级,适于实际应用。

公开(公告)号：CN101869817A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010211951.5

申请日：2010-06-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 郭伟力 ,  贾晓鹏 ,  马红安 ,  陈立学

IPC: B01J3/06 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明的用Mg3N2和CaH2合成立方氮化硼的方法属于超硬材料合成的技术领域。以Mg3N2为触媒，CaH2为添加剂，六方氮化硼为原料；将六方氮化硼、Mg3N2和CaH2按重量比例混合均匀，预压成型组装成合成块；在合成温度1000～1600℃、合成压力4.0～6.0GPa条件下，保温保压时间3～8分钟；经化学处理得到黄色且晶形完整率高、半透明的立方氮化硼晶体。本发明使用的触媒和添加剂对六方氮化硼原料的纯度要求降低，合成的立方氮化硼晶体晶形完整率高，并且合成压力和温度范围宽，转化率高，成本低，有利于工业生产。

公开(公告)号：CN100391586C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200510016653.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 郭伟力 ,  贾晓鹏 ,  马红安 ,  陈立学 ,  卜雨洲 ,  邹广田

IPC: B01J3/06 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明的用碱土金属氟化物合成立方氮化硼的方法属超硬材料的高温高压合成领域。用六方氮化硼做原料，以CaF2或/和MgF2和Li3N混合物为触媒，加入LiH作为添加剂，混合均匀后预压成型，再装入石墨管中组装成合成块。合成温度为1000～1800℃，合成压力4.0～6.0GPa，合成时间3～8分钟，合成产物经化学处理后得到红黄色透明的立方氮化硼单晶体。本发明由于触媒中加入了CaF2或/和MgF2，合成温度、压力范围宽，合成物产率高。

公开(公告)号：CN1173878C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN02109367.9

申请日：2002-03-27

Applicant: 吉林大学

Inventor： 朱品文 ,  贾晓鹏 ,  陈立学 ,  郭伟力 ,  邹广田

IPC: C01B19/04 ,  H01L21/02 ,  H01L35/00 ,  H01L37/00 ,  C30B11/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40

Abstract: 本发明属于一种块纳米半导体PbTe材料的高温高压合成方法。主要是提高材料的热电转换性能，以利于实际应用。本发明以铅粉(Pb)和碲粉(Te)为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却等工艺过程制得PbTe材料。所说的混料压块是将铅粉和碲粉按摩尔比1∶1进行混合、按合成腔体大小压成块状。所说的高温高压合成是在压机上进行的，合成压力为1.0～6.0Gpa、温度为850～1400K。保压保温后以50～200K/S的降温速率进行冷却。本发明合成的PbTe材料具有NaCl结构，晶粒大小为纳米量级，热导率的值低于1.5w/m.k，电导率的值高于10-4Ω·m量级，适于实际应用。