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公开(公告)号：CN113588770A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110884302.X
申请日：2021-08-03
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 一种高密度硅纳米锥结构及其作为表面辅助激光解吸/电离质谱基底在检测小分子中的应用，属于质谱分析技术领域。基底是通过直接无掩模版反应离子刻蚀单晶硅，再利用低浓度的氟化氢水溶液剥离表面氧化层获得。由于高密度的锥状结构的独特形貌，使得空气和基底物质之间的折射率系数呈现缓慢的递变，从而提高基底的吸光率，有利于高效地解吸以及电离分子；同时，硅纳米结构锥的尖端结构会促进能量和热电子聚集在尖端位置，有效地提高基底的解吸电离能力；另外，疏水的基底具有的浓缩效应有利于进一步提高检测灵敏度。因此利用疏水的高密度硅纳米锥结构物作为基底检测各种小分子时，不论在正离子模式还是负离子模式下，均具有高的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN113588770B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110884302.X
申请日：2021-08-03
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 一种高密度硅纳米锥结构及其作为表面辅助激光解吸/电离质谱基底在检测小分子中的应用，属于质谱分析技术领域。基底是通过直接无掩模版反应离子刻蚀单晶硅，再利用低浓度的氟化氢水溶液剥离表面氧化层获得。由于高密度的锥状结构的独特形貌，使得空气和基底物质之间的折射率系数呈现缓慢的递变，从而提高基底的吸光率，有利于高效地解吸以及电离分子；同时，硅纳米结构锥的尖端结构会促进能量和热电子聚集在尖端位置，有效地提高基底的解吸电离能力；另外，疏水的基底具有的浓缩效应有利于进一步提高检测灵敏度。因此利用疏水的高密度硅纳米锥结构物作为基底检测各种小分子时，不论在正离子模式还是负离子模式下，均具有高的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN114544748A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210185242.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 一种固定在巯基修饰硅衬底上的金纳米粒子薄膜SALDI‑MS基底及在检测小分子中的应用，属于质谱分析技术领域。所述的基底是通过将组装好的金纳米粒子薄膜转移到表面巯基修饰的硅衬底上获得，过程简单、安全、可重复，无需专门设备或仪器。本发明通过将金纳米粒子均匀自组装后，转移到表面修饰巯基官能团的硅衬底上，增强金纳米粒子和基底之间的结合力，避免金纳米粒子薄膜脱离而影响质谱检测；金纳米粒子均匀分布以形成薄膜，减少了样品不均匀沉积导致的咖啡环的形成，将其作为表面辅助激光解吸/电离质谱基底检测小分子，表现出高的检测重复性。
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