公开(公告)号：CN101513996A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910066670.2

申请日：2009-03-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 类伟巍 ,  崔啟良 ,  刘丹 ,  张剑 ,  陈晓辉 ,  郝健 ,  金云霞 ,  詹宝庆 ,  王秋实 ,  梁罡

IPC: C01B21/072

Abstract: 本发明的一种氮化铝纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝纳米梳是纳米线阵列形成的双边梳状结构，或是双边梳状结构与单边梳状结构相混的纳米梳；纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成；纳米线的直径一般约为50～80nm，长度约1～1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置，在高温低压系统条件下，使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应，制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN纳米梳结构；制备方法简单，重复性好，时间短，成本低，对环境友好；将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。

公开(公告)号：CN101513996B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910066670.2

申请日：2009-03-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 类伟巍 ,  崔啟良 ,  刘丹 ,  张剑 ,  陈晓辉 ,  郝健 ,  金云霞 ,  詹宝庆 ,  王秋实 ,  梁罡

IPC: C01B21/072

Abstract: 本发明的一种氮化铝纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝纳米梳是纳米线阵列形成的双边梳状结构，或是双边梳状结构与单边梳状结构相混的纳米梳；纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成；纳米线的直径一般约为50～80nm，长度约1～1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置，在高温低压系统条件下，使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应，制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN纳米梳结构；制备方法简单，重复性好，时间短，成本低，对环境友好；将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。

公开(公告)号：CN101508427A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910066671.7

申请日：2009-03-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 类伟巍 ,  崔啟良 ,  刘丹 ,  张剑 ,  陈晓辉 ,  郝健 ,  金云霞 ,  詹宝庆 ,  王秋实 ,  梁罡

IPC: C01B21/072

Abstract: 本发明的一种氮化铝单边纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝单边纳米梳由纳米线阵列形成的单边梳状结构，纳米线在中间主干一侧生长出来；纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成；纳米线的直径一般约为50～80nm，长度约1～1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置，在高温低压系统条件下，使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应，制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN单边纳米梳结构；制备方法简单，重复性好，时间短，成本低，对环境友好；将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。

公开(公告)号：CN101508427B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910066671.7

申请日：2009-03-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 类伟巍 ,  崔啟良 ,  刘丹 ,  张剑 ,  陈晓辉 ,  郝健 ,  金云霞 ,  詹宝庆 ,  王秋实 ,  梁罡

IPC: C01B21/072

Abstract: 本发明的一种氮化铝单边纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝单边纳米梳由纳米线阵列形成的单边梳状结构，纳米线在中间主干一侧生长出来；纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成；纳米线的直径一般约为50～80nm，长度约1～1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置，在高温低压系统条件下，使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应，制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN单边纳米梳结构；制备方法简单，重复性好，时间短，成本低，对环境友好；将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。