一种采用气体封装的非晶CON材料制备方法

    公开(公告)号:CN119661294A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202510175387.2

    申请日:2025-02-18

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及非晶CON材料制备技术领域,具体公开了一种采用气体封装的非晶CON材料制备方法,以体积比为7:3的CO‑N2为反应前驱体材料,并使用金刚石对顶砧压机作为高压产生装置,使用高压气体封装系统将混合气加载至DAC样品腔中,通过高温高压实验设计合成了能稳定至常压条件的非晶CON材料,并通过压力调控制备了N含量达35.7%的高氮比非晶CON材料,依照本方法获得的常压稳定非晶CON材料解决了CON材料无法稳定常压条件而难以应用难题,同时我们获得的压力调控非晶CON材料N含量制备的规律也为后续研究CON材料的研究提供支撑和见解。

    一种六方金刚石高温高压制备方法

    公开(公告)号:CN118949849B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411183506.0

    申请日:2024-08-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种六方金刚石高温高压制备方法,属于超硬材料合成技术领域。本发明先将高纯度石墨制成前驱体,再进行合成块的组装,组装完毕后,通过加温、加压、保温、保压等得到六方金刚石。本发明的六方金刚石制备方法使得高纯度石墨沿c轴方向获得更高的压力,进一步促进了石墨的相变,使前驱体所处的温度场具有一定的温度梯度,促进高纯度石墨向六方金刚石转变,具有更好的六方金刚石转化率。

    一种采用气体封装的非晶CON材料制备方法

    公开(公告)号:CN119661294B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510175387.2

    申请日:2025-02-18

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及非晶CON材料制备技术领域,具体公开了一种采用气体封装的非晶CON材料制备方法,以体积比为7:3的CO‑N2为反应前驱体材料,并使用金刚石对顶砧压机作为高压产生装置,使用高压气体封装系统将混合气加载至DAC样品腔中,通过高温高压实验设计合成了能稳定至常压条件的非晶CON材料,并通过压力调控制备了N含量达35.7%的高氮比非晶CON材料,依照本方法获得的常压稳定非晶CON材料解决了CON材料无法稳定常压条件而难以应用难题,同时我们获得的压力调控非晶CON材料N含量制备的规律也为后续研究CON材料的研究提供支撑和见解。

    一种六方金刚石高温高压制备方法

    公开(公告)号:CN118949849A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411183506.0

    申请日:2024-08-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种六方金刚石高温高压制备方法,属于超硬材料合成技术领域。本发明先将高纯度石墨制成前驱体,再进行合成块的组装,组装完毕后,通过加温、加压、保温、保压等得到六方金刚石。本发明的六方金刚石制备方法使得高纯度石墨沿c轴方向获得更高的压力,进一步促进了石墨的相变,使前驱体所处的温度场具有一定的温度梯度,促进高纯度石墨向六方金刚石转变,具有更好的六方金刚石转化率。

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