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公开(公告)号:CN119661294A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202510175387.2
申请日:2025-02-18
Applicant: 吉林大学
IPC: C06B43/00 , C01B21/082
Abstract: 本发明涉及非晶CON材料制备技术领域,具体公开了一种采用气体封装的非晶CON材料制备方法,以体积比为7:3的CO‑N2为反应前驱体材料,并使用金刚石对顶砧压机作为高压产生装置,使用高压气体封装系统将混合气加载至DAC样品腔中,通过高温高压实验设计合成了能稳定至常压条件的非晶CON材料,并通过压力调控制备了N含量达35.7%的高氮比非晶CON材料,依照本方法获得的常压稳定非晶CON材料解决了CON材料无法稳定常压条件而难以应用难题,同时我们获得的压力调控非晶CON材料N含量制备的规律也为后续研究CON材料的研究提供支撑和见解。
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公开(公告)号:CN118949849B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202411183506.0
申请日:2024-08-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种六方金刚石高温高压制备方法,属于超硬材料合成技术领域。本发明先将高纯度石墨制成前驱体,再进行合成块的组装,组装完毕后,通过加温、加压、保温、保压等得到六方金刚石。本发明的六方金刚石制备方法使得高纯度石墨沿c轴方向获得更高的压力,进一步促进了石墨的相变,使前驱体所处的温度场具有一定的温度梯度,促进高纯度石墨向六方金刚石转变,具有更好的六方金刚石转化率。
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公开(公告)号:CN119661294B
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202510175387.2
申请日:2025-02-18
Applicant: 吉林大学
IPC: C06B43/00 , C01B21/082
Abstract: 本发明涉及非晶CON材料制备技术领域,具体公开了一种采用气体封装的非晶CON材料制备方法,以体积比为7:3的CO‑N2为反应前驱体材料,并使用金刚石对顶砧压机作为高压产生装置,使用高压气体封装系统将混合气加载至DAC样品腔中,通过高温高压实验设计合成了能稳定至常压条件的非晶CON材料,并通过压力调控制备了N含量达35.7%的高氮比非晶CON材料,依照本方法获得的常压稳定非晶CON材料解决了CON材料无法稳定常压条件而难以应用难题,同时我们获得的压力调控非晶CON材料N含量制备的规律也为后续研究CON材料的研究提供支撑和见解。
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公开(公告)号:CN118949849A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411183506.0
申请日:2024-08-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种六方金刚石高温高压制备方法,属于超硬材料合成技术领域。本发明先将高纯度石墨制成前驱体,再进行合成块的组装,组装完毕后,通过加温、加压、保温、保压等得到六方金刚石。本发明的六方金刚石制备方法使得高纯度石墨沿c轴方向获得更高的压力,进一步促进了石墨的相变,使前驱体所处的温度场具有一定的温度梯度,促进高纯度石墨向六方金刚石转变,具有更好的六方金刚石转化率。
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