公开(公告)号：CN108275662B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201810104794.4

申请日：2018-02-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张明喆 ,  芦庆

IPC: C01B21/064

Abstract: 本发明的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法，属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。具体采用气液反应和气固反应两步反应过程，首先利用硼酸和去离子水配制成待反应液，然后通入氨气生成五硼酸铵；再将五硼酸铵在880～980℃氮化处理，最后用盐酸水溶液、去离子水和酒精分别清洗并烘干，将得到的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料保存为固体。本发明对于现有的制备方法具有反应易于实现、反应装置易于搭建、原材料易于取得、对环境无污染、制备成本低等优点，并且合成的稀磁半导体纳米材料颗粒均匀、磁饱和强度大。

公开(公告)号：CN108275662A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810104794.4

申请日：2018-02-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张明喆 ,  芦庆

IPC: C01B21/064

Abstract: 本发明的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法，属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。具体采用气液反应和气固反应两步反应过程，首先利用硼酸和去离子水配制成待反应液，然后通入氨气生成五硼酸铵；再将五硼酸铵在880～980℃氮化处理，最后用盐酸水溶液、去离子水和酒精分别清洗并烘干，将得到的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料保存为固体。本发明对于现有的制备方法具有反应易于实现、反应装置易于搭建、原材料易于取得、对环境无污染、制备成本低等优点，并且合成的稀磁半导体纳米材料颗粒均匀、磁饱和强度大。