一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO

    公开(公告)号:CN105045329B

    公开(公告)日:2016-10-19

    申请号:CN201510393652.0

    申请日:2015-07-07

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO,该无片外电容LDO包括:误差放大器、基准电压源模块、功率调整管、NMC密勒补偿电路、电源抑制比增强网络、瞬态响应增强电路。本发明采用NMC的补偿技术以满足系统稳定性要求;利用放大器第二级gm提高电路增大对功率管栅级的充放电电流;引入摆率增强电路可以在LDO负载从小到大阶跃跳变时,为负载提供所需的电流,从而两者共同提高低压差线性稳压器的瞬态响应能力;此外加入电源抑制比增强网络,用其控制系统PSRR的反馈因子β,将原有零点推至更高频率处,从而提升系统PSRR特性。本发明提供的无片外电容LDO在瞬态响应和电源抑制比方面都有所提升。

    一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO

    公开(公告)号:CN105045329A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510393652.0

    申请日:2015-07-07

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO,该无片外电容LDO包括:误差放大器、基准电压源模块、功率调整管、NMC密勒补偿电路、电源抑制比增强网络、瞬态响应增强电路。本发明采用NMC的补偿技术以满足系统稳定性要求;利用放大器第二级gm提高电路增大对功率管栅级的充放电电流;引入摆率增强电路可以在LDO负载从小到大阶跃跳变时,为负载提供所需的电流,从而两者共同提高低压差线性稳压器的瞬态响应能力;此外加入电源抑制比增强网络,用其控制系统PSRR的反馈因子β,将原有零点推至更高频率处,从而提升系统PSRR特性。本发明提供的无片外电容LDO在瞬态响应和电源抑制比方面都有所提升。

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