公开(公告)号：CN117551981A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311351614.X

申请日：2023-10-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  耿子怡 ,  崔政 ,  刘尧峰 ,  刘钧松 ,  高楠 ,  成绍恒

IPC: C23C16/40 ,  C25D9/04 ,  C23C16/27 ,  H01G11/46 ,  H01G11/32 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明提供了一种采用电沉积制备ZnO@BDD薄膜的方法，属于金刚石薄膜技术领域。本发明通过电化学沉积的方法，在掺硼金刚石衬底上制备氧化锌薄膜，形成ZnO@BDD复合结构。在制备氧化锌和掺硼金刚石复合结构薄膜时，沉积电压的调节非常重要，沉积电压在其形成微米级别的锥形结构和取向分布中，起到较大作用。在‑0.7V到‑1.1V恒电位沉积条件下，所形成的结构取向分布，提供了更多活性位点，通过测试表明，具有更好的电化学性能电极。组成的对称性超级电容器具有较好稳定性和可重复使用性，并且制备方法工艺简单，便于大规模制备。