公开(公告)号：CN114808119A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210250161.0

申请日：2022-03-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吴国光 ,  管祺曾 ,  王成 ,  胡逸凡 ,  张宝林

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物，包括以下步骤：(1)对表面有二氧化硅薄层的衬底进行低温退火处理；(2)采用氮等离子体对二氧化硅薄层进行低温氮化处理形成成核点；(3)采用低温外延形成InN纳米柱形貌；(4)升高衬底温度后，继续生长InN纳米柱。本发明提供的制备方法采用对衬底表面二氧化硅薄层进行氮化处理，在氮化处理后形成的成核层上低温获得InN纳米柱形貌，并且本发明采用的SiO2/InN异质结结构可实现不同衬底上InN纳米柱异质结结构的制备，有助于实现新型InN基光电子器件的设计，本发明全工艺流程均在低温下进行，具有良好的工艺兼容性，制备成本低，并且制备的InN纳米柱分布均匀、形貌可控，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN114808119B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210250161.0

申请日：2022-03-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吴国光 ,  管祺曾 ,  王成 ,  胡逸凡 ,  张宝林

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物，包括以下步骤：(1)对表面有二氧化硅薄层的衬底进行低温退火处理；(2)采用氮等离子体对二氧化硅薄层进行低温氮化处理形成成核点；(3)采用低温外延形成InN纳米柱形貌；(4)升高衬底温度后，继续生长InN纳米柱。本发明提供的制备方法采用对衬底表面二氧化硅薄层进行氮化处理，在氮化处理后形成的成核层上低温获得InN纳米柱形貌，并且本发明采用的SiO2/InN异质结结构可实现不同衬底上InN纳米柱异质结结构的制备，有助于实现新型InN基光电子器件的设计，本发明全工艺流程均在低温下进行，具有良好的工艺兼容性，制备成本低，并且制备的InN纳米柱分布均匀、形貌可控，具有广阔的应用前景。