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公开(公告)号:CN106653394B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201611252242.5
申请日:2016-12-30
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种吡咯与3,4‑乙烯二氧噻吩共聚纳米线阵列,本发明同时还公开了其制备方法,涉及高分子共聚,纳米阵列,导电高分子材料,高分子电容器等多个技术领域。本发明制备得到的PPE纳米线阵列最高电流密度、放电时间、比电容、电容保持率,明显大于吡咯以及3,4‑乙烯二氧噻吩均聚物的电流密度。聚3,4‑乙烯二氧噻吩和聚吡咯的区别很多,聚3,4‑乙烯二氧噻吩电学性能远远弱于聚吡咯,同时其聚3,4‑乙烯二氧噻吩的尺寸较大,在聚合时2个环状基团会垂直于纳米线阵列分布在其周围。
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公开(公告)号:CN106653394A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201611252242.5
申请日:2016-12-30
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/48 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/12 , C08G2261/228 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/354
Abstract: 本发明提供一种吡咯与3,4‑乙烯二氧噻吩共聚纳米线阵列,本发明同时还公开了其制备方法,涉及高分子共聚,纳米阵列,导电高分子材料,高分子电容器等多个技术领域。本发明制备得到的PPE纳米线阵列最高电流密度、放电时间、比电容、电容保持率,明显大于吡咯以及3,4‑乙烯二氧噻吩均聚物的电流密度。聚3,4‑乙烯二氧噻吩和聚吡咯的区别很多,聚3,4‑乙烯二氧噻吩电学性能远远弱于聚吡咯,同时其聚3,4‑乙烯二氧噻吩的尺寸较大,在聚合时2个环状基团会垂直于纳米线阵列分布在其周围。
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公开(公告)号:CN204562441U
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201520215563.2
申请日:2015-04-13
Applicant: 吉林大学
IPC: A61C19/04
Abstract: 本实用新型提供一种模拟桥体作用于牙槽嵴黏膜处产生形变的检测装置,基座的上面为模拟牙槽嵴,基座的两端分别设有一根基柱,固定桥横跨在两根基柱上;位移传感器装置在固定桥的桥体上;位移传感器中心的滑杆,垂直于基座的模拟牙槽嵴;滑杆顶端设置有按压钮,滑杆底端为顶块,顶块与基座上的模拟牙槽嵴顶相接触;位移传感器与数字显示屏电连接,通过按压滑杆顶端按钮,将滑杆向下移动,使顶块与模拟牙槽嵴紧密接触,此时显示的微小位移数值即应刮除的模拟量。通过位移传感器检测模拟固定义齿桥体和牙槽嵴黏膜接触紧密程度,准确的测量位移量,确定刮除的厚度,指导医务人员进行医疗正确操作。
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